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BQ4010Y集成電路（IC）存儲器規(guī)格書PDF中文資料

BQ4010Y
廠商型號

BQ4010Y
參數(shù)屬性

BQ4010Y 封裝/外殼為28-DIP 模塊（0.61"，15.49mm）；包裝為卷帶（TR）；類別為集成電路（IC） > 存儲器；產(chǎn)品描述：IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP
功能描述

8Kx8 Nonvolatile SRAM
IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP
文件大小

758.28 Kbytes
頁面數(shù)量

14 頁
生產(chǎn)廠商 Texas Instruments
企業(yè)簡稱

TI【德州儀器】

中文名稱

美國德州儀器公司官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間

2024-10-23 11:16:00

BQ4010Y規(guī)格書詳情

BQ4010Y屬于集成電路（IC） > 存儲器。美國德州儀器公司制造生產(chǎn)的BQ4010Y存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設備的半導體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號：

    BQ4010YMA-150N

  • 制造商：

    Texas Instruments

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 存儲器類型：

    非易失

  • 存儲器格式：

    NVSRAM

  • 技術：

    NVSRAM（非易失性 SRAM）

  • 存儲容量：

    64Kb（8K x 8）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字，頁：

    150ns

  • 電壓 - 供電：

    4.5V ~ 5.5V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    28-DIP 模塊（0.61"，15.49mm）

  • 供應商器件封裝：

    28-DIP 模塊（18.42x37.72）

  • 描述：

    IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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