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BLV31

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION: TheASIBLV31isDesignedforuseinVHFamplifiers FEATURES: ?PG=16.5dBTypicalat224MHz ?Omnigold?MetallizationSystem

ASI

Advanced Semiconductor

BLV31

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION: TheASIBLV31isDesignedforuseinVHFamplifiers FEATURES: ?PG=16.5dBTypicalat224MHz ?Omnigold?MetallizationSystem

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導體新澤西半導體產品股份有限公司

晶體管資料

  • 型號:

    BLV31

  • 別名:

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產廠家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性質:

    甚高頻 (VHF)_TR_輸出極 (E)

  • 封裝形式:

    貼片封裝

  • 極限工作電壓:

    60V

  • 最大電流允許值:

    3A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數:

    4

  • 可代換的型號:

    BLW75,

  • 最大耗散功率:

    5W

  • 放大倍數:

  • 圖片代號:

    G-56

  • vtest:

    60

  • htest:

    999900

  • atest:

    3

  • wtest:

    5.0001

詳細參數

  • 型號:

    BLV31

  • 功能描述:

    射頻雙極電源晶體管 RF Transistor

  • RoHS:

  • 制造商:

    M/A-COM Technology Solutions

  • 配置:

    Single 直流集電極/Base Gain hfe

  • Min:

    40

  • 最大工作頻率:

    30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    25 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO:

    4 V

  • 集電極連續(xù)電流:

    20 A

  • 功率耗散:

    250 W

  • 封裝/箱體:

    Case 211-11

  • 封裝:

    Tray

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更多BLV31供應商 更新時間2024-12-28 10:30:00