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BLV32F

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

NPNSILICONRFPOWERTRANSISTOR DESCRIPTION: TheASIBLV32FisDesignedforinlinearv.h.f.amplifiersoftelevisiontransmittersandtransporters. FEATURES: ?Diffusedemitterballastingresistors ?PG=16dBat10W/224MHz ?Omnigold?MetalizationSystem

ASI

Advanced Semiconductor

BLV32F

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

BLV32F

NPN Silicon RF power transistor

ELEFLOW

eleflow technologies co., ltd.

晶體管資料

  • 型號(hào):

    BLV32F

  • 別名:

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性質(zhì):

    甚高頻 (VHF)_功率放大 (L)

  • 封裝形式:

    貼片封裝

  • 極限工作電壓:

    60V

  • 最大電流允許值:

    4A

  • 最大工作頻率:

    224MHZ

  • 引腳數(shù):

    6

  • 可代換的型號(hào):

  • 最大耗散功率:

    10W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號(hào):

    G-256

  • vtest:

    60

  • htest:

    224000000

  • atest:

    4

  • wtest:

    10.0001

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào):

    BLV32F

  • 功能描述:

    射頻雙極電源晶體管 RF Transistor

  • RoHS:

  • 制造商:

    M/A-COM Technology Solutions

  • 配置:

    Single 直流集電極/Base Gain hfe

  • Min:

    40

  • 最大工作頻率:

    30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    25 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO:

    4 V

  • 集電極連續(xù)電流:

    20 A

  • 功率耗散:

    250 W

  • 封裝/箱體:

    Case 211-11

  • 封裝:

    Tray

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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更多BLV32F供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-10 10:20:00