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BLF4G20LS-110B中文資料飛利浦?jǐn)?shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
廠商型號 |
BLF4G20LS-110B |
參數(shù)屬性 | BLF4G20LS-110B 封裝/外殼為SOT-502B;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻;產(chǎn)品描述:FET RF 65V 1.99GHZ SOT502B |
功能描述 | UHF power LDMOS transistor |
文件大小 |
109.84 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
12 頁 |
生產(chǎn)廠商 | NXP Semiconductors |
企業(yè)簡稱 |
Philips【飛利浦】 |
中文名稱 | 荷蘭皇家飛利浦官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2024-10-31 20:00:00 |
BLF4G20LS-110B規(guī)格書詳情
General description
110 W LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from 1800 MHz to 2000 MHz.
Features
■ Typical GSM EDGE performance at a frequency of 1930 MHz and 1990 MHz, a
supply voltage of 28 V and an IDq of 650 mA:
◆ Load power = 48 W (AV)
◆ Gain = 13.8 dB (typ)
◆ Efficiency = 38.5 (typ)
◆ ACPR400 = ?61 dBc (typ)
◆ ACPR600 = ?74 dBc (typ)
◆ EVMrms = 2.1 (typ)
■ Easy power control
■ Excellent ruggedness
■ High efficiency
■ Excellent thermal stability
■ Designed for broadband operation (1800 MHz to 2000 MHz)
■ Internally matched for ease of use
Applications
■ RF power amplifiers for GSM, GSM EDGE and CDMA base stations and multicarrier
applications in the 1800 MHz to 2000 MHz frequency range.
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
BLF4G20LS-110B,112
- 制造商:
NXP USA Inc.
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻
- 包裝:
卷帶(TR)
- 晶體管類型:
LDMOS
- 頻率:
1.93GHz ~ 1.99GHz
- 增益:
13.4dB
- 額定電流(安培):
12A
- 功率 - 輸出:
100W
- 封裝/外殼:
SOT-502B
- 供應(yīng)商器件封裝:
SOT502B
- 描述:
FET RF 65V 1.99GHZ SOT502B
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
NXP/恩智浦 |
23+ |
NA/ |
3275 |
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號開票 |
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NXP |
21+ |
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NXP/恩智浦 |
21+ |
SOT502B |
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24+ |
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NXP/恩智浦 |
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NXP |
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23+ |
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NXP |
21+ |
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