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BLF4G20LS-110B中文資料飛利浦?jǐn)?shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

BLF4G20LS-110B
廠商型號

BLF4G20LS-110B

參數(shù)屬性

BLF4G20LS-110B 封裝/外殼為SOT-502B;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻;產(chǎn)品描述:FET RF 65V 1.99GHZ SOT502B

功能描述

UHF power LDMOS transistor

文件大小

109.84 Kbytes

頁面數(shù)量

12

生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡稱

Philips飛利浦

中文名稱

荷蘭皇家飛利浦官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2024-10-31 20:00:00

BLF4G20LS-110B規(guī)格書詳情

General description

110 W LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from 1800 MHz to 2000 MHz.

Features

■ Typical GSM EDGE performance at a frequency of 1930 MHz and 1990 MHz, a

supply voltage of 28 V and an IDq of 650 mA:

◆ Load power = 48 W (AV)

◆ Gain = 13.8 dB (typ)

◆ Efficiency = 38.5 (typ)

◆ ACPR400 = ?61 dBc (typ)

◆ ACPR600 = ?74 dBc (typ)

◆ EVMrms = 2.1 (typ)

■ Easy power control

■ Excellent ruggedness

■ High efficiency

■ Excellent thermal stability

■ Designed for broadband operation (1800 MHz to 2000 MHz)

■ Internally matched for ease of use

Applications

■ RF power amplifiers for GSM, GSM EDGE and CDMA base stations and multicarrier

applications in the 1800 MHz to 2000 MHz frequency range.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    BLF4G20LS-110B,112

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    1.93GHz ~ 1.99GHz

  • 增益:

    13.4dB

  • 額定電流(安培):

    12A

  • 功率 - 輸出:

    100W

  • 封裝/外殼:

    SOT-502B

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SOT502B

  • 描述:

    FET RF 65V 1.99GHZ SOT502B

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
NXP/恩智浦
23+
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原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號開票
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