BLF4G10-120中文資料飛利浦?jǐn)?shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

廠商型號	BLF4G10-120
功能描述	UHF power LDMOS transistor
文件大小	115.83 Kbytes
頁面數(shù)量	14 頁
生產(chǎn)廠商	NXP Semiconductors
企業(yè)簡稱	Philips【飛利浦】
中文名稱	荷蘭皇家飛利浦官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
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更新時(shí)間	2025-3-26 8:58:00
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General description

120 W LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from 800 MHz to 1000 MHz.

Features

■ Typical GSM EDGE performance at frequency of 960 MHz, a supply voltage of 28 V

and an IDq of 850 mA:

◆ Load power = 48 W (AV)

◆ Gain = 19 dB (typ)

◆ Efficiency = 40 (typ)

◆ ACPR400 = ?61 dBc (typ)

◆ ACPR600 = ?72 dBc (typ)

◆ EVMrms = 1.5 (typ)

■ Easy power control

■ Excellent ruggedness

■ High efficiency

■ Excellent thermal stability

■ Designed for broadband operation (800 MHz to 1000 MHz)

■ Internally matched for ease of use

Applications

■ RF power amplifiers for GSM, GSM EDGE and CDMA base stations and multicarrier

applications in the 800 MHz to 1000 MHz frequency range.

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