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BLC9H10XS-505A分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
BLC9H10XS-505A |
| 參數(shù)屬性 | BLC9H10XS-505A 封裝/外殼為SOT-1273-1；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：RF MOSFET |
| 功能描述 | Power LDMOS transistor |
| 封裝外殼 | SOT-1273-1 |
| 文件大小 |
1.25959 Mbytes |
| 頁面數(shù)量 |
13 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Ampleon USA Inc. |
| 企業(yè)簡稱 |
Ampleon【安譜隆】 |
| 中文名稱 | 安譜隆官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時(shí)間 | 2025-2-8 18:18:00 |
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BLC9H10XS-505A規(guī)格書詳情
BLC9H10XS-505A屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由安譜隆制造生產(chǎn)的BLC9H10XS-505A晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件，器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
General description
500 W LDMOS packaged asymmetric Doherty power transistor for base station
applications at frequencies from 617 MHz to 960 MHz.
Features and benefits
? Excellent ruggedness
? High efficiency
? Low thermal resistance providing excellent thermal stability
? Lower output capacitance for improved performance in Doherty applications
? Designed for low memory effects providing excellent digital pre-distortion capability
? Internal integrated wideband input matching for ease of use
? Integrated ESD protection
? For RoHS compliance see the product details on the Ampleon website
Applications
? RF power amplifiers for base stations and multi carrier applications in the 617 MHz to
960 MHz frequency range
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
BLC9H10XS-505AZ
- 制造商：
Ampleon USA Inc.
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 包裝：
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 封裝/外殼：
SOT-1273-1
- 供應(yīng)商器件封裝：
SOT1273-1
- 描述：
RF MOSFET
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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