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BLC9G22LS-160VT分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

BLC9G22LS-160VT
廠商型號

BLC9G22LS-160VT

參數(shù)屬性

BLC9G22LS-160VT 封裝/外殼為SOT-1271-2;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:RF MOSFET LDMOS 28V SOT1271-3

功能描述

Power LDMOS transistor
RF MOSFET LDMOS 28V SOT1271-3

封裝外殼

SOT-1271-2

文件大小

1.60016 Mbytes

頁面數(shù)量

16

生產(chǎn)廠商 Ampleon USA Inc.
企業(yè)簡稱

Ampleon安譜隆

中文名稱

安譜隆官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-19 23:00:00

BLC9G22LS-160VT規(guī)格書詳情

BLC9G22LS-160VT屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由安譜隆制造生產(chǎn)的BLC9G22LS-160VT晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

General description

160 W LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from

2110 MHz to 2200 MHz.

Features and benefits

Excellent ruggedness

Excellent video-bandwidth enabling full band operation

High efficiency

Low thermal resistance providing excellent thermal stability

Designed for low memory effects providing excellent pre-distortability

Internally matched for ease of use

Integrated ESD protection

Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances

(RoHS)

Applications

RF power amplifier for W-CDMA base stations and multi carrier applications in the

2110 MHz to 2200 MHz frequency range

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    BLC9G22LS-160VTZ

  • 制造商:

    Ampleon USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    管件

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    2.11GHz ~ 2.2GHz

  • 增益:

    18.4dB

  • 額定電流(安培):

    2.8μA

  • 功率 - 輸出:

    35W

  • 封裝/外殼:

    SOT-1271-2

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SOT1271-2

  • 描述:

    RF MOSFET LDMOS 28V SOT1271-3

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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