BG3130R分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
BG3130R |
| 參數(shù)屬性 | BG3130R 封裝/外殼為6-VSSOP，SC-88，SOT-363；包裝為散裝；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：RF MOSFET N-CH DUAL 5V SOT363-6 |
| 功能描述 | DUAL N-Channel MOSFET Tetrode |
| 封裝外殼 | 6-VSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 文件大小 |
168.43 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
6 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Infineon Technologies AG |
| 企業(yè)簡稱 |
INFINEON【英飛凌】 |
| 中文名稱 | 英飛凌科技股份公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時(shí)間 | 2025-7-30 20:48:00 |
| 人工找貨 | BG3130R價(jià)格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
BG3130R規(guī)格書詳情
BG3130R屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的BG3130R晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件，器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
BG3130RH6327XTSA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 包裝：
散裝
- 晶體管類型：
2 N-通道（雙）
- 頻率：
800MHz
- 增益：
24dB
- 額定電流（安培）：
25mA
- 噪聲系數(shù)：
1.3dB
- 封裝/外殼：
6-VSSOP，SC-88，SOT-363
- 供應(yīng)商器件封裝：
PG-SOT363-PO
- 描述：
RF MOSFET N-CH DUAL 5V SOT363-6
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon/英飛凌 |
24+ |
SOT143 |
9480 |
公司現(xiàn)貨庫存,支持實(shí)單 |
詢價(jià) | ||
INFINEON/英飛凌 |
24+ |
NA/ |
3000 |
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票 |
詢價(jià) | ||
INFINEON/英飛凌 |
22+ |
SOT-363 |
100000 |
代理渠道/只做原裝/可含稅 |
詢價(jià) | ||
INFINEON |
25+ |
SOT-363 |
11000 |
原裝正品,假一罰十! |
詢價(jià) | ||
Infineon |
0245+ |
SOT363 |
300 |
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價(jià) | ||
INFINEON |
20+ |
SOT363 |
32970 |
原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票 |
詢價(jià) | ||
INFINEON |
1822+ |
SOT-363 |
6852 |
只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風(fēng)險(xiǎn)!! |
詢價(jià) | ||
SOT-363 |
23+ |
NA |
15659 |
振宏微專業(yè)只做正品,假一罰百! |
詢價(jià) | ||
INFINEON |
21+ |
SOT-363 |
17400 |
原裝現(xiàn)貨假一賠十 |
詢價(jià) | ||
INFINEON |
23+ |
SOT363-6 |
63000 |
原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價(jià) |
