BG3123分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
BG3123 |
| 參數(shù)屬性 | BG3123 封裝/外殼為6-VSSOP，SC-88，SOT-363；包裝為散裝；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT363 |
| 功能描述 | DUAL N-Channel MOSFET Tetrode |
| 封裝外殼 | 6-VSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 文件大小 |
183.61 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
8 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Infineon Technologies AG |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
Infineon【英飛凌】 |
| 中文名稱 | 英飛凌科技股份公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-1-17 17:30:00 |
BG3123規(guī)格書詳情
BG3123屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的BG3123晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件，器件中電流受電場(chǎng)控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào)：
BG3123H6327XTSA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 包裝：
散裝
- 晶體管類型：
2 N-通道（雙）
- 頻率：
800MHz
- 增益：
25dB
- 額定電流（安培）：
25mA，20mA
- 噪聲系數(shù)：
1.8dB
- 封裝/外殼：
6-VSSOP，SC-88，SOT-363
- 供應(yīng)商器件封裝：
PG-SOT363-PO
- 描述：
MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT363
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
SMD |
23+ |
NA |
15659 |
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詢價(jià) | ||
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SOT363-6 |
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23+ |
SOT-363 |
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SOT-163SOT-23-6 |
33200 |
新進(jìn)庫存/原裝 |
詢價(jià) | ||
INFINEON |
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