BG3130R分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書(shū)PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
BG3130R |
| 參數(shù)屬性 | BG3130R 封裝/外殼為6-VSSOP，SC-88，SOT-363；包裝為散裝；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：RF MOSFET N-CH DUAL 5V SOT363-6 |
| 功能描述 | DUAL N-Channel MOSFET Tetrode |
| 文件大小 |
88.36 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
10 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | Infineon Technologies AG |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
Infineon【英飛凌】 |
| 中文名稱 | 英飛凌科技股份公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-1-1 23:00:00 |
BG3130R規(guī)格書(shū)詳情
BG3130R屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的BG3130R晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件，器件中電流受電場(chǎng)控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào)：
BG3130RH6327XTSA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 包裝：
散裝
- 晶體管類型：
2 N-通道（雙）
- 頻率：
800MHz
- 增益：
24dB
- 額定電流（安培）：
25mA
- 噪聲系數(shù)：
1.3dB
- 封裝/外殼：
6-VSSOP，SC-88，SOT-363
- 供應(yīng)商器件封裝：
PG-SOT363-PO
- 描述：
RF MOSFET N-CH DUAL 5V SOT363-6
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飛凌 |
23+ |
NA/ |
3000 |
優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開(kāi)增值稅票 |
詢價(jià) | ||
INFINEON |
2016+ |
SOT363 |
18000 |
只做原裝,假一罰十,公司可開(kāi)17%增值稅發(fā)票! |
詢價(jià) | ||
INFINEO |
2020+ |
SOT-363 |
80000 |
只做自己庫(kù)存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開(kāi)13%增 |
詢價(jià) | ||
INFINEON |
22+23+ |
SOT-363 |
41969 |
絕對(duì)原裝正品現(xiàn)貨,全新深圳原裝進(jìn)口現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
INFINEON/英飛凌 |
22+ |
SOT-363 |
100000 |
代理渠道/只做原裝/可含稅 |
詢價(jià) | ||
INFINEON |
21+ |
SOT-363 |
17400 |
原裝現(xiàn)貨假一賠十 |
詢價(jià) | ||
INFINEON |
23+ |
SOT363-6 |
63000 |
原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
SOT-363 |
23+ |
NA |
15659 |
振宏微專業(yè)只做正品,假一罰百! |
詢價(jià) | ||
INFINEON |
SOT-363 |
68900 |
原包原標(biāo)簽100%進(jìn)口原裝常備現(xiàn)貨! |
詢價(jià) | |||
INFINEON |
24+ |
SOT-363SOT-323-6 |
15200 |
新進(jìn)庫(kù)存/原裝 |
詢價(jià) |
