BFR840L3RHESD 分立半導體產品晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻 INFINEON/英飛凌

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廠家型號：
BFR840L3RHESD
產品分類：
芯片
生產廠商：
INFINEON
庫存數(shù)量：
7000
產品封裝：
TSLP-3-9
生產批號：
23+
庫存類型：
常用庫存
更新時間：
2025-1-29 8:50:00

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原廠料號：BFR840L3RHESD品牌：INFINEON

BFR840L3RHESD是分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻。制造商INFINEON/Infineon Technologies生產封裝TSLP-3-9/SC-101，SOT-883的BFR840L3RHESD晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個端子的半導體器件，用于在涉及射頻的設備中開關或放大信號。雙極結型晶體管設計為 NPN 或 PNP，特征參數(shù)包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。

芯片型號：
BFR840L3RHESD
規(guī)格書：
下載下載2
企業(yè)簡稱：
INFINEON【英飛凌】詳情
廠商全稱：
Infineon Technologies AG
中文名稱：
英飛凌科技股份公司
內容頁數(shù)：
28 頁
文件大?。?/span>
1496.87 kb
資料說明：
Robust Low Noise Silicon Germanium Bipolar RF Transistor

產品屬性

類型
描述
產品編號：
BFR840L3RHESDE6327XTSA1
制造商：
Infineon Technologies
類別：
分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻
包裝：
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
晶體管類型：
NPN
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：
2.6V
頻率 - 躍遷：
75GHz
噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）：
0.5dB @ 450MHz
增益：
27dB
功率 - 最大值：
75mW
不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
150 @ 10mA，1.8V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：
35mA
工作溫度：
150°C（TJ）
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
SC-101，SOT-883
供應商器件封裝：
PG-TSLP-3
描述：
RF TRANS NPN 2.6V 75GHZ TSLP-3

供應商

企業(yè)：
天津市博通航睿技術有限公司
商鋪：
進入商鋪
聯(lián)系人：
馬總
手機：
18322198211
詢價：
電話：
18322198211
地址：
天津市南開區(qū)科研西路12號356室

BFR840L3RHESD 分立半導體產品晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻 INFINEON/英飛凌

BFR840L3RHESD

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