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BF420,116	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：散裝封裝/外殼：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引線類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個描述：TRANS NPN 300V 0.05A TO92-3	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
BF420-AP	文件：63.57 Kbytes Page：5 Pages	SMALLSIGNALNPNTRANSISTOR ■SILICONEPITAXIALPLANARNPNHIGHVOLTAGETRANSISTOR ■TO-92PACKAGESUITABLEFORTHROUGH-HOLEPCBASSEMBLY ■THEPNPCOMPLEMENTARYTYPEISBF421 APPLICATIONS ■VIDEOAMPLIFIERCIRCUITS(RGBCATHODECURRENTCONTROL) ■TELEPHONEWIRELINEINTERFACE(HOOKSWITCHES,DIALERCIRCUITS)	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體（ST）集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
BFP420	文件：50.27 Kbytes Page：8 Pages	NPNSiliconRFTransistor(ForhighgainlownoiseamplifiersForoscillatorsupto10GHz) NPNSiliconRFTransistor ?Forhighgainlownoiseamplifiers ?Foroscillatorsupto10GHz ?NoisefigureF=1.05dBat1.8GHzoutstandingGms=20dBat1.8GHz ?TransitionfrequencyfT=25GHz ?Goldmetalizationforhighreliability ?SIEGET?25-Line SiemensGroundedEmitter	SIEMENSSiemens Ltd 西門子德國西門子股份公司	SIEMENS
BFP420	文件：74.44 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor ?Forhighgainandlownoiseamplifiers ?MinimumnoisefigureNFmin=1.1dBat1.8GHzOutstandingGms=21dBat1.8GHz ?Foroscillatorsupto10GHz ?TransitionfrequencyfT=25GHz ?Pb-free(RoHScompliant)andhalogen-freepackagewithvisib	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFP420	文件：567.85 Kbytes Page：9 Pages	LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFP420F	文件：49.77 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconRFTransistor ProductBrief TheBFP420FisalownoisewidebandNPNbipolarRFtransistor.ThecollectordesignsupportsvoltagesuptoVCEO=4.5VandcurrentsuptoIC=60mA.Thedeviceisespeciallysuitedformobileapplicationsinwhichlowpowerconsumptionisakeyrequirement.Thetypicaltransition	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFP420F	文件：63.27 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFP420F	文件：1.54555 Mbytes Page：30 Pages	LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFP420W	文件：245.03 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNRFTransistor DESCRIPTION ?HighPowerGain ?HighCurrentGainBandwidthProduct ?LowNoiseFigure ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ?DesignedforuseinRFwidebandamplifiersandoscillators.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
BFV420	文件：41.86 Kbytes Page：8 Pages	NPNhigh-voltagetransistor DESCRIPTION NPNhigh-voltagetransistorinaTO-92;SOT54plasticpackage.PNPcomplement:BFV421. FEATURES ?Lowcurrent(max.100mA) ?Highvoltage(max.100V). APPLICATIONS ?Primarilyintendedforvideoapplications(monitors).	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BFY420	文件：406.72 Kbytes Page：5 Pages	HiRelNPNSiliconRFTransistor HiRelNPNSiliconRFTransistor ?HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor ?ForHighGainLowNoiseAmplifiers ?ForOscillatorsupto10GHz ?NoiseFigureF=1.1dBat1.8GHz OutstandingGms=21dBat1.8GHz ?Hermeticallysealedmicrowavepackage ?TransitionFrequencyfT=22G	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFY420	文件：145.91 Kbytes Page：4 Pages	HiRelNPNSiliconRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFY420ES	文件：406.72 Kbytes Page：5 Pages	HiRelNPNSiliconRFTransistor HiRelNPNSiliconRFTransistor ?HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor ?ForHighGainLowNoiseAmplifiers ?ForOscillatorsupto10GHz ?NoiseFigureF=1.1dBat1.8GHz OutstandingGms=21dBat1.8GHz ?Hermeticallysealedmicrowavepackage ?TransitionFrequencyfT=22G	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFY420H	文件：406.72 Kbytes Page：5 Pages	HiRelNPNSiliconRFTransistor HiRelNPNSiliconRFTransistor ?HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor ?ForHighGainLowNoiseAmplifiers ?ForOscillatorsupto10GHz ?NoiseFigureF=1.1dBat1.8GHz OutstandingGms=21dBat1.8GHz ?Hermeticallysealedmicrowavepackage ?TransitionFrequencyfT=22G	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFY420P	文件：406.72 Kbytes Page：5 Pages	HiRelNPNSiliconRFTransistor HiRelNPNSiliconRFTransistor ?HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor ?ForHighGainLowNoiseAmplifiers ?ForOscillatorsupto10GHz ?NoiseFigureF=1.1dBat1.8GHz OutstandingGms=21dBat1.8GHz ?Hermeticallysealedmicrowavepackage ?TransitionFrequencyfT=22G	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFY420S	文件：406.72 Kbytes Page：5 Pages	HiRelNPNSiliconRFTransistor HiRelNPNSiliconRFTransistor ?HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor ?ForHighGainLowNoiseAmplifiers ?ForOscillatorsupto10GHz ?NoiseFigureF=1.1dBat1.8GHz OutstandingGms=21dBat1.8GHz ?Hermeticallysealedmicrowavepackage ?TransitionFrequencyfT=22G	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BGA420	文件：38.08 Kbytes Page：6 Pages	Si-MMIC-AmplifierinSIEGET25-Technologie(Cascadable50廓-gainblockUnconditionallystable) Si-MMIC-AmplifierinSIEGET?25-Technologie Preliminarydata ?Cascadable50?-gainblock ?Unconditionallystable ?Gain\|S21\|2=13dBat1.8GHzIP3out=+9dBmat1.8GHz(VD=3V,ID=typ.6.4mA) ?NoisefigureNF=2.2dBat1.8GHz ?Reverseisolation>28dBandreturnlossIN/O	SIEMENSSiemens Ltd 西門子德國西門子股份公司	SIEMENS
BGA420	文件：139.2 Kbytes Page：6 Pages	Si-MMIC-AmplifierinSIEGET25-Technologie Si-MMIC-AmplifierinSIEGET?25-Technologie ?Cascadable50?-gainblock ?Unconditionallystable ?Gain\|S21\|2=13dBat1.8GHzIP3out=+13dBmat1.8GHz(VD=3V,ID=typ.6.7mA) ?NoisefigureNF=2.2dBat1.8GHz ?Reverseisolation>28dBandreturnlossIN/OUT>12dBat1.8	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BGA420	文件：166.12 Kbytes Page：8 Pages	Si-MMIC-AmplifierinSIEGET25-Technologie	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BGB420	文件：477.63 Kbytes Page：10 Pages	ActiveBiasedTransistor Description SIEGET?-25NPNTransistorwithintegratedbiasingforhighgainlownoisefigureapplications.ICcanbecontrolledusingIBiasaccordingtoIC=10*IBias. Features ?Forhighgainlownoiseamplifiers ?Idealforwidebandapplications,cellulartelephones, cordlesstelephones,	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon

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產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號：
BF420,116
制造商：
NXP USA Inc.
類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個
包裝：
散裝
晶體管類型：
NPN
不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：
600mV @ 5mA，30mA
電流 - 集電極截止（最大值）：
10nA（ICBO）
不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
50 @ 25mA，20V
頻率 - 躍遷：
60MHz
工作溫度：
150°C（TJ）
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引線
供應(yīng)商器件封裝：
TO-92-3
描述：
TRANS NPN 300V 0.05A TO92-3

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市易訊博科技有限公司	BF420,116	NXP	22+	NA	45000	加我QQ或微信咨詢更多詳細(xì)信息,	詢價
深圳市鵬順微電子科技有限公司	BF420,116	NXP USA Inc.	2022+	TO-92-3	38550	全新原裝支持表配單中國著名電子元器件獨立分銷	詢價
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	BF420,126	NXP	24+		30000		詢價
深圳市弘為電子有限公司	BF420.112	PH	16+	原廠封裝	3050	原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢價
深圳市中億偉業(yè)電子有限公司	BF420/BF421	NXP	2018+	TO-92	999999	承諾正品公司可開17%增值稅票	詢價
深圳芯力源電子科技有限公司	BF420112	IR	23+	原廠封裝	5177	現(xiàn)貨	詢價
深圳市宏捷佳電子科技有限公司	BF420112	NXP USA Inc.	24+	TO-226-3 TO-92-3(TO-226AA)	9350	獨立分銷商公司只做原裝誠心經(jīng)營免費試樣正品保證	詢價
深圳市永貝爾科技有限公司	BF420A3	CYSTEKEC	23+	原廠原包	19960	只做進(jìn)口原裝終端工廠免費送樣	詢價
上海市鑫鴻達(dá)電子	BF420-AP	STMicroel	2022+		18000	全新原裝貨期兩周	詢價
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	BF420-AP	ST/意法	23+	TO-92	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價

更多BF420,116供應(yīng)商更新時間2024-10-26 10:08:00

產(chǎn)品屬性

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