BD810G 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè) ONSEMI/安森美半導(dǎo)體

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廠家型號：
BD810G
產(chǎn)品分類：
芯片
生產(chǎn)廠商：
onsemi
庫存數(shù)量：
9350
產(chǎn)品封裝：
TO-220-3
生產(chǎn)批號：
24+
庫存類型：
常用庫存
更新時(shí)間：
2025-1-13 14:17:00

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原廠料號：BD810G品牌：onsemi

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BD810G是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)。制造商onsemi生產(chǎn)封裝TO-220-3的BD810G晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導(dǎo)體器件之一，對于涉及高頻開關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言，它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢，但對于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號的應(yīng)用而言，它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。

芯片型號：
BD810G
規(guī)格書：
下載下載2
企業(yè)簡稱：
ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情
廠商全稱：
ON Semiconductor
中文名稱：
安森美半導(dǎo)體公司
內(nèi)容頁數(shù)：
4 頁
文件大?。?/span>
95 kb
資料說明：
Plastic High Power Silicon Transistors

產(chǎn)品屬性

類型
描述
產(chǎn)品編號：
BD810G
制造商：
onsemi
類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)
包裝：
卷帶（TR）
晶體管類型：
PNP
不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：
1.1V @ 300mA，3A
電流 - 集電極截止（最大值）：
1mA（ICBO）
不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
15 @ 4A，2V
頻率 - 躍遷：
1.5MHz
工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-220-3
供應(yīng)商器件封裝：
TO-220
描述：
TRANS PNP 80V 10A TO220

供應(yīng)商

企業(yè)：
深圳市宏捷佳電子科技有限公司
商鋪：
進(jìn)入商鋪
聯(lián)系人：
許小姐
手機(jī)：
13530520535
詢價(jià)：
電話：
0755-83201583/83214703
傳真：
0755-22669259
地址：
福田區(qū)華強(qiáng)北路上步工業(yè)區(qū)102棟620室

BD810G 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè) ONSEMI/安森美半導(dǎo)體

BD810G

產(chǎn)品屬性

供應(yīng)商

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