首頁>BD649>規(guī)格書詳情

BD649分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

BD649
廠商型號

BD649

參數(shù)屬性

BD649 封裝/外殼為TO-220-3;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS NPN DARL 100V 8A TO220

功能描述

SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS

封裝外殼

TO-220-3

文件大小

336.95 Kbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商 Comset Semiconductor
企業(yè)簡稱

COMSET

中文名稱

Comset Semiconductor官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二

更新時間

2025-7-5 23:00:00

人工找貨

BD649價格和庫存,歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨

BD649規(guī)格書詳情

SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS

PNP epitaxial-base transistors in a monolithic Dalrington circuit and housed in a TO-220 enveloppe. They are intended for output stages in audio equipment, general amplifiers, and analogue switching application.

NPN complements are BD643, BD645, BD647, BD649 and BD651

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    BD649-S

  • 制造商:

    Bourns Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    NPN - 達林頓

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    2.5V @ 50mA,5A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    500μA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    750 @ 3A,3V

  • 工作溫度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-220

  • 描述:

    TRANS NPN DARL 100V 8A TO220

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ST/意法
24+
NA/
3330
原裝現(xiàn)貨,當天可交貨,原型號開票
詢價
BOURNS/伯恩斯
24+
NA
80000
只做自己庫存,全新原裝進口正品假一賠百,可開13%增
詢價
ST
25+
TO-220
110
原裝正品,假一罰十!
詢價
ST
2119+
TO-220
50
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
詢價
FAIRCHILD
23+
TO-220
1
詢價
POWER
23+
TO-220
25000
專做原裝正品,假一罰百!
詢價
BD649
600
600
詢價
FSC
19+
TO-220F
65973
原廠代理渠道,每一顆芯片都可追溯原廠;
詢價
ST
24+
TO-220
9000
只做原裝正品 有掛有貨 假一賠十
詢價
24+
TO-220
10000
全新
詢價