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BD647分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

BD647
廠商型號(hào)

BD647

參數(shù)屬性

BD647 封裝/外殼為TO-220-3;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS NPN DARL 80V 8A TO220

功能描述

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

封裝外殼

TO-220-3

文件大小

108.24 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡稱

ISC無錫固電

中文名稱

無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-1-29 23:03:00

晶體管資料

  • 型號(hào):

    BD647

  • 別名:

    BD647三極管、BD647晶體管、BD647晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-N+Darl+Di

  • 性質(zhì):

    低頻或音頻放大 (LF)_功率放大 (L)

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    100V

  • 最大電流允許值:

    8A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號(hào):

    BD699,BD899,BDW73B,BDX33B,BDX53B,F(xiàn)D50B,

  • 最大耗散功率:

    62.5W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號(hào):

    B-10

  • vtest:

    100

  • htest:

    999900

  • atest:

    8

  • wtest:

    62.5

BD647規(guī)格書詳情

* Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO = 80V(Min)

* High DC Current Gain : hFE= 750(Min) @IC= 3A

* Low Saturation Voltage

* Complement to Type BD648

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    BD647-S

  • 制造商:

    Bourns Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    NPN - 達(dá)林頓

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    2.5V @ 50mA,5A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    500μA

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    750 @ 3A,3V

  • 工作溫度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-220

  • 描述:

    TRANS NPN DARL 80V 8A TO220

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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