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BF849	文件：82.04 Kbytes Page：3 Pages	PNPSILICONRFTRANSISTORS	SIEMENSSiemens Ltd 西門子德國西門子股份公司	SIEMENS
BT849AKPF	文件：1.14923 Mbytes Page：141 Pages	Single-ChipVideoCaptureforPCI [Conexant] Bt848isacomplete,lowcostsingle-chipsolutionforanalogNTSC/PAL/SECAMvideocaptureonthePCIbus.Asabusmaster,Bt848doesnotrequireanylocalmemorybufferstostorevideopixeldatawhichsignificantlyminimizesthehardwarecostforthisarchitecture.Bt848takesa	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類制造商	ETC
FZT849	文件：39.09 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconPlanarHighCurrent(HighPerformance)Transistor Features ●Extremelylowequivalenton-resistance;RCE(sat)36mΩat5A. ●7Ampcontinuouscollectorcurrent(20Amppeak). ●Verylowsaturationvoltages. ●Excellentgaincharateristicsspecifiedupto20Amp. ●Ptot=3Watts.	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN
FZT849	文件：60.52 Kbytes Page：3 Pages	NPNSILICONPLANARHIGHCURRENT(HIGHPERFORMANCE)TRANSISTOR FEATURES Extremelylowequivalenton-resistance;RCE(sat)36m?at5A 7Ampcontinuouscollectorcurrent(20Amppeak) Verylowsaturationvoltages Excellentgaincharateristicsspecifiedupto20Amp *Ptot=3Watts	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
FZT849	文件：72.59 Kbytes Page：3 Pages	SOT223NPNSILICONPLANARHIGHCURRENT FEATURES Extremelylowequivalenton-resistance;RCE(sat)36m?at5A 7Ampcontinuouscollectorcurrent(20Amppeak) Verylowsaturationvoltages Excellentgaincharateristicsspecifiedupto20Amp *Ptot=3Watts	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
FZT849TA	文件：72.59 Kbytes Page：3 Pages	SOT223NPNSILICONPLANARHIGHCURRENT(HIGHPERFORMANCE)TRANSISTOR	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2
INA849	文件：1.94382 Mbytes Page：26 Pages	INA849Ultra-Low-Noise(1nV/??z),High-Bandwidth,InstrumentationAmplifier	TITexas Instruments 德州儀器美國德州儀器公司	TI
INA849	文件：3.21241 Mbytes Page：36 Pages	INA849Ultra-Low-Noise(1nV/??z),High-Bandwidth,InstrumentationAmplifier	TITexas Instruments 德州儀器美國德州儀器公司	TI
INA849	文件：1.46741 Mbytes Page：28 Pages	INA851Precision,Low-Noise,FullyDifferentialOutputInstrumentationAmplifierWithOptionalAttenuatingGain	TITexas Instruments 德州儀器美國德州儀器公司	TI
INA849	文件：3.17466 Mbytes Page：33 Pages	INA823Precision,Low-Power,Wide-Supply(2.7-Vto36-V)InstrumentationAmplifier	TITexas Instruments 德州儀器美國德州儀器公司	TI
INA849	文件：3.28236 Mbytes Page：36 Pages	INA849Ultra-Low-Noise(1nV/??z),High-Bandwidth,InstrumentationAmplifier	TITexas Instruments 德州儀器美國德州儀器公司	TI
INA849	文件：3.77433 Mbytes Page：52 Pages	INA851Precision,Low-Noise,FullyDifferentialOutputInstrumentationAmplifierWithAttenuatingGainandOutputClamping 1Features ?Gainprogrammablefrom G=0.2to10,000byusingexternalresistor ?Fullydifferentialoutputswithintegratedclamping ?Lowoffsetvoltage:10μV(typ),35μV(max) ?Lowoffsetdrift:0.1μV/°C(typ),0.3μV/°C(max) ?Lowinputbiascurrent:5nA(typ) ?Inputstagenoise	TITexas Instruments 德州儀器美國德州儀器公司	TI
INA849	文件：2.07758 Mbytes Page：28 Pages	PGA855Low-Noise,Wide-Bandwidth,FullyDifferentialOutputProgrammable-GainInstrumentationAmplifier 1Features ?Eightpin-programmablebinarygains –G(V/V)=?,?,?,1,2,4,8,and16 ?Lowgainerrordrift:2ppm/°C(max) ?Fullydifferentialoutputs –Independentoutputpower-supplypins –Outputcommon-modecontrol ?Fastersignalprocessing: –Widebandwidth:10MHzatallgains	TITexas Instruments 德州儀器美國德州儀器公司	TI
INA849	文件：3.38238 Mbytes Page：42 Pages	PGA855Low-Noise,Wide-Bandwidth,FullyDifferentialOutputProgrammable-GainInstrumentationAmplifier 1Features ?Eightpin-programmablebinarygains –G(V/V)=?,?,?,1,2,4,8,and16 ?Lowgainerrordrift:1ppm/°C(max)atG=1V/V ?Fullydifferentialoutputs –Independentoutputpower-supplypinstoallow forADCinputoverdriveprotection –Outputcommon-modecontrol ?Faster	TITexas Instruments 德州儀器美國德州儀器公司	TI
INA849	文件：1.6695 Mbytes Page：24 Pages	PGA849Low-Noise,Wide-Bandwidth,PrecisionProgrammableGainInstrumentationAmplifier 1Features ?Differentialtosingle-endedconversion ?Eightpin-programmablebinarygains –G(V/V)=?,?,?,1,2,4,8,and16 ?Lowgainerrordrift:2ppm/°C(max) ?Fastersignalprocessing: –Widebandwidth:10MHzatallgains –Highslewrate:35V/μs –Settlingtime: 500nsto0.01	TI1Texas Instruments(TI) 德州儀器德州儀器 (TI)	TI1
INA849DGKR	文件：3.21241 Mbytes Page：36 Pages	INA849Ultra-Low-Noise(1nV/??z),High-Bandwidth,InstrumentationAmplifier	TITexas Instruments 德州儀器美國德州儀器公司	TI
INA849DGKR	文件：3.28236 Mbytes Page：36 Pages	INA849Ultra-Low-Noise(1nV/??z),High-Bandwidth,InstrumentationAmplifier	TITexas Instruments 德州儀器美國德州儀器公司	TI
INA849DGKT	文件：3.28236 Mbytes Page：36 Pages	INA849Ultra-Low-Noise(1nV/??z),High-Bandwidth,InstrumentationAmplifier	TITexas Instruments 德州儀器美國德州儀器公司	TI
INA849DR	文件：1.94382 Mbytes Page：26 Pages	INA849Ultra-Low-Noise(1nV/??z),High-Bandwidth,InstrumentationAmplifier	TITexas Instruments 德州儀器美國德州儀器公司	TI
INA849DR	文件：3.21241 Mbytes Page：36 Pages	INA849Ultra-Low-Noise(1nV/??z),High-Bandwidth,InstrumentationAmplifier	TITexas Instruments 德州儀器美國德州儀器公司	TI

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晶體管資料

型號：
BC849-W
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產(chǎn)廠家：
制作材料：
Si-NPN
性質(zhì)：
封裝形式：
貼片封裝
極限工作電壓：
30V
最大電流允許值：
0.1A
最大工作頻率：
100MHZ
引腳數(shù)：
3
可代換的型號：
BCF32,BCF33,BCF81,2SC4101,2SC4102,2SC4117,
最大耗散功率：
0.2W
放大倍數(shù)：
圖片代號：
H-15
vtest：
30
htest：
100000000
atest：
0.1
wtest：
0.2

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市福田區(qū)億興成電子商行	BC849W/2C	PH	15+	SOT-323	6698		詢價(jià)
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	BC849貼片三極管	UTC/友順	23+	SOT-23	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價(jià)
深圳廊盛科技有限公司	BC849貼片三極管	UTC/友順	2022	SOT-23	80000	原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢	詢價(jià)
深圳市弘為電子有限公司	BC84BW	PHILIPS	16+	SOT-70	9000	原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢價(jià)
貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	BC84CLT1		23+		60000	原廠授權(quán)代理,海外優(yōu)勢訂貨渠道。可提供大量庫存,詳	詢價(jià)
深圳市維爾達(dá)電子有限公司	BC84TBLT1		2023+		80000	一級代理/分銷渠道價(jià)格優(yōu)勢十年芯程一路只做原裝正品	詢價(jià)
深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司	BC84TBLT1		23+	原廠正規(guī)渠道	5000	專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市安富世紀(jì)電子有限公司	BC84TBLT1		23+	原廠正規(guī)渠道	5000	專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市星佑電子有限公司	BC850	PHI	05+	原廠原裝	33051	只做全新原裝真實(shí)現(xiàn)貨供應(yīng)	詢價(jià)
深圳市永貝爾科技有限公司	BC850	FAIRCHILD	23+	NA	19960	只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣	詢價(jià)

更多BC849-W供應(yīng)商更新時(shí)間2024-10-25 13:00:00

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