国产又黄又爽胸又大免费视频,99视频在线看免费视频

首頁(yè) >FZT849TA>規(guī)格書(shū)列表

零件編號(hào)	下載&訂購(gòu)	功能描述	制造商&上傳企業(yè)	LOGO
FZT849TA	文件：72.59 Kbytes Page：3 Pages	SOT223 NPN SILICON PLANAR HIGH CURRENT (HIGH PERFORMANCE) TRANSISTOR	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類(lèi)制造商etc2未分類(lèi)制造商	etc2
FZT849TA	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA 類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè) 描述：TRANS NPN 30V 7A SOT223-3	PAM Diodes Incorporated	PAM
INA849	文件：1.94382 Mbytes Page：26 Pages	INA849Ultra-Low-Noise(1nV/??z),High-Bandwidth,InstrumentationAmplifier	TITexas Instruments 德州儀器美國(guó)德州儀器公司	TI
INA849	文件：3.21241 Mbytes Page：36 Pages	INA849Ultra-Low-Noise(1nV/??z),High-Bandwidth,InstrumentationAmplifier	TITexas Instruments 德州儀器美國(guó)德州儀器公司	TI
INA849	文件：1.46741 Mbytes Page：28 Pages	INA851Precision,Low-Noise,FullyDifferentialOutputInstrumentationAmplifierWithOptionalAttenuatingGain	TITexas Instruments 德州儀器美國(guó)德州儀器公司	TI
INA849	文件：3.17466 Mbytes Page：33 Pages	INA823Precision,Low-Power,Wide-Supply(2.7-Vto36-V)InstrumentationAmplifier	TITexas Instruments 德州儀器美國(guó)德州儀器公司	TI
INA849	文件：3.28236 Mbytes Page：36 Pages	INA849Ultra-Low-Noise(1nV/??z),High-Bandwidth,InstrumentationAmplifier	TITexas Instruments 德州儀器美國(guó)德州儀器公司	TI
INA849	文件：3.77433 Mbytes Page：52 Pages	INA851Precision,Low-Noise,FullyDifferentialOutputInstrumentationAmplifierWithAttenuatingGainandOutputClamping 1Features ?Gainprogrammablefrom G=0.2to10,000byusingexternalresistor ?Fullydifferentialoutputswithintegratedclamping ?Lowoffsetvoltage:10μV(typ),35μV(max) ?Lowoffsetdrift:0.1μV/°C(typ),0.3μV/°C(max) ?Lowinputbiascurrent:5nA(typ) ?Inputstagenoise	TITexas Instruments 德州儀器美國(guó)德州儀器公司	TI
INA849	文件：2.07758 Mbytes Page：28 Pages	PGA855Low-Noise,Wide-Bandwidth,FullyDifferentialOutputProgrammable-GainInstrumentationAmplifier 1Features ?Eightpin-programmablebinarygains –G(V/V)=?,?,?,1,2,4,8,and16 ?Lowgainerrordrift:2ppm/°C(max) ?Fullydifferentialoutputs –Independentoutputpower-supplypins –Outputcommon-modecontrol ?Fastersignalprocessing: –Widebandwidth:10MHzatallgains	TITexas Instruments 德州儀器美國(guó)德州儀器公司	TI
INA849	文件：3.38238 Mbytes Page：42 Pages	PGA855Low-Noise,Wide-Bandwidth,FullyDifferentialOutputProgrammable-GainInstrumentationAmplifier 1Features ?Eightpin-programmablebinarygains –G(V/V)=?,?,?,1,2,4,8,and16 ?Lowgainerrordrift:1ppm/°C(max)atG=1V/V ?Fullydifferentialoutputs –Independentoutputpower-supplypinstoallow forADCinputoverdriveprotection –Outputcommon-modecontrol ?Faster	TITexas Instruments 德州儀器美國(guó)德州儀器公司	TI
INA849	文件：1.6695 Mbytes Page：24 Pages	PGA849Low-Noise,Wide-Bandwidth,PrecisionProgrammableGainInstrumentationAmplifier 1Features ?Differentialtosingle-endedconversion ?Eightpin-programmablebinarygains –G(V/V)=?,?,?,1,2,4,8,and16 ?Lowgainerrordrift:2ppm/°C(max) ?Fastersignalprocessing: –Widebandwidth:10MHzatallgains –Highslewrate:35V/μs –Settlingtime: 500nsto0.01	TI1Texas Instruments 德州儀器	TI1
INA849DGKR	文件：3.21241 Mbytes Page：36 Pages	INA849Ultra-Low-Noise(1nV/??z),High-Bandwidth,InstrumentationAmplifier	TITexas Instruments 德州儀器美國(guó)德州儀器公司	TI
INA849DGKR	文件：3.28236 Mbytes Page：36 Pages	INA849Ultra-Low-Noise(1nV/??z),High-Bandwidth,InstrumentationAmplifier	TITexas Instruments 德州儀器美國(guó)德州儀器公司	TI
INA849DGKT	文件：3.28236 Mbytes Page：36 Pages	INA849Ultra-Low-Noise(1nV/??z),High-Bandwidth,InstrumentationAmplifier	TITexas Instruments 德州儀器美國(guó)德州儀器公司	TI
INA849DR	文件：1.94382 Mbytes Page：26 Pages	INA849Ultra-Low-Noise(1nV/??z),High-Bandwidth,InstrumentationAmplifier	TITexas Instruments 德州儀器美國(guó)德州儀器公司	TI
INA849DR	文件：3.21241 Mbytes Page：36 Pages	INA849Ultra-Low-Noise(1nV/??z),High-Bandwidth,InstrumentationAmplifier	TITexas Instruments 德州儀器美國(guó)德州儀器公司	TI
INA849DR	文件：3.28236 Mbytes Page：36 Pages	INA849Ultra-Low-Noise(1nV/??z),High-Bandwidth,InstrumentationAmplifier	TITexas Instruments 德州儀器美國(guó)德州儀器公司	TI
IS849X	文件：124.81 Kbytes Page：2 Pages	OPTICALLYCOUPLEDISOLATORTRANSISTOROUTPUT	ISOCOM ISOCOM COMPONENTS	ISOCOM
LBC849	文件：135.89 Kbytes Page：6 Pages	GeneralPurposeTransistorsNPNSilicon	LRCLeshan Radio Company 樂(lè)山無(wú)線電樂(lè)山無(wú)線電股份有限公司	LRC
LBC849B	文件：135.89 Kbytes Page：6 Pages	GeneralPurposeTransistorsNPNSilicon	LRCLeshan Radio Company 樂(lè)山無(wú)線電樂(lè)山無(wú)線電股份有限公司	LRC

12 3 >>>

產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號(hào)：
FZT849TA
制造商：
Diodes Incorporated
類(lèi)別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)
包裝：
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
晶體管類(lèi)型：
NPN
不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：
350mV @ 300mA，6.5A
電流 - 集電極截止（最大值）：
50nA（ICBO）
不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 1A，1V
頻率 - 躍遷：
100MHz
工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類(lèi)型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
TO-261-4，TO-261AA
供應(yīng)商器件封裝：
SOT-223-3
描述：
TRANS NPN 30V 7A SOT223-3

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市高捷芯城科技有限公司	FZT849TA	DIODES(美臺(tái))	23+	SOT-223	1612	原廠訂貨渠道,支持BOM配單一站式服務(wù)	詢價(jià)
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	FZT849TA	Diodes Incorporated	24+	TO-261-4,TO-261AA	30000	晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品	詢價(jià)
深圳市金芯陽(yáng)科技有限公司	FZT849TA	DIODES	15+	原廠原裝	43000	進(jìn)口原裝現(xiàn)貨假一賠十	詢價(jià)
深圳市金華微盛電子有限公司	FZT849TA	DIODES/美臺(tái)	2019+	SOT223	78550	原廠渠道可含稅出貨	詢價(jià)
深圳市航潤(rùn)創(chuàng)能電子集團(tuán)有限公司	FZT849TA	DIODES/美臺(tái)	21+	SOT-223-4	2759	只做原裝,假一罰十	詢價(jià)
深圳市河鋒鑫科技有限公司	FZT849TA	DIODES/美臺(tái)	20+	SOT-223	120000	原裝正品可含稅交易	詢價(jià)
深圳市匯萊威科技有限公司	FZT849TA	ZETEX/DIODES	24+	SOT223	500900	免費(fèi)送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系	詢價(jià)
深圳市中福國(guó)際管理有限公司	FZT849TA	DIODES/美臺(tái)	23+	SOT-223	360000	專(zhuān)業(yè)供應(yīng)MOS/LDO/晶體管/有大量?jī)r(jià)格低	詢價(jià)
深圳市星佑電子有限公司	FZT849TA	ZTX	05+	原廠原裝	50051	只做全新原裝真實(shí)現(xiàn)貨供應(yīng)	詢價(jià)
深圳市粵科源興科技有限公司	FZT849TA	DISCRETE	1000	DIO	43000		詢價(jià)

更多FZT849TA供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-12 8:12:00

產(chǎn)品屬性

相關(guān)規(guī)格書(shū)

相關(guān)庫(kù)存