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BC149	文件：484.99 Kbytes Page：6 Pages	TRANZYSTORY NPN LowLevelandGeneralPurposeAmplifiers	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類制造商	ETC
BC149	文件：75.84 Kbytes Page：1 Pages	Low Level and General Purpose Amplifiers	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類制造商	ETC
BCR149	文件：448.62 Kbytes Page：6 Pages	NPNSiliconDigitalTransistor NPNSiliconDigitalTransistor ?Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit,drivercircuit ?Builtinbiasresistor(R1=47k?)	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BCR149F	文件：448.62 Kbytes Page：6 Pages	NPNSiliconDigitalTransistor NPNSiliconDigitalTransistor ?Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit,drivercircuit ?Builtinbiasresistor(R1=47k?)	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BCR149T	文件：448.62 Kbytes Page：6 Pages	NPNSiliconDigitalTransistor NPNSiliconDigitalTransistor ?Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit,drivercircuit ?Builtinbiasresistor(R1=47k?)	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFQ149	文件：37.97 Kbytes Page：6 Pages	PNP5GHzwidebandtransistor DESCRIPTION PNPtransistorinaSOT89envelope.ItisintendedforuseinUHFapplicationssuchasbroadbandaerialamplifiers(30to860MHz)andinmicrowaveamplifierssuchasradarsystems,spectrumanalyzers,etc.,usingSMDtechnology.	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BFQ149	文件：227.64 Kbytes Page：7 Pages	PNP5GHzwidebandtransistor DESCRIPTION PNPtransistorinaSOT89envelope.ItisintendedforuseinUHFapplicationssuchasbroadbandaerialamplifiers(30to860MHz)andinmicrowaveamplifierssuchasradarsystems,spectrumanalysers,etc.,usingSMDtechnology.	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
BFQ149	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
BLC149	文件：51.46 Kbytes Page：1 Pages	BLC149	BellingSHANGHAI BELLING CO., LTD. 上海貝嶺上海貝嶺股份有限公司	Belling
BSP149	文件：328.62 Kbytes Page：7 Pages	SIPMOSSmall-SignalTransistor(NchannelDepletionmodeHighdynamicresistance) ●VDS200V ●ID0.48A ●RDS(on)3.5? ●Nchannel ●Depletionmode ●Highdynamicresistance ●AvailablegroupedinVGS(th)	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國西門子股份公司	SIEMENS
BSP149	文件：226.93 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOSSmall-Signal-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BSP149	文件：206.19 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOSSmall-Signal-Transistor Features ?N-channel ?Depletionmode ?dv/dtrated ?AvailablewithVGS(th)indicatoronreel ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BSP149	文件：3.04397 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET GENERALFEATURES Vos=200V Ib=10A@Ves=10V Rosion)￡1.35Q@Ves=10V SOT-223package.	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 臺(tái)舟電子臺(tái)舟電子股份有限公司	TECHPUBLIC
BSS149	文件：279.2 Kbytes Page：6 Pages	SIPMOSSmall-SignalTransistor(NchannelDepletionmodeHighdynamicresistance) SIPMOS?Small-SignalTransistor ●VDS200V ●ID0.35A ●RDS(on)3.5? ●Nchannel ●Depletionmode ●Highdynamicresistance ●AvailablegroupedinVGS(th)	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國西門子股份公司	SIEMENS
BT149	文件：42.7 Kbytes Page：6 Pages	Thyristorslogiclevel GENERALDESCRIPTION Glasspassivated,sensitivegatethyristorsinaplasticenvelope,intendedforuseingeneralpurposeswitchingandphasecontrolapplications.Thesedevicesareintendedtobeinterfaceddirectlytomicrocontrollers,logicintegratedcircuitsandotherlowpowergatetrigger	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BT149B	文件：42.7 Kbytes Page：6 Pages	Thyristorslogiclevel GENERALDESCRIPTION Glasspassivated,sensitivegatethyristorsinaplasticenvelope,intendedforuseingeneralpurposeswitchingandphasecontrolapplications.Thesedevicesareintendedtobeinterfaceddirectlytomicrocontrollers,logicintegratedcircuitsandotherlowpowergatetrigger	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BT149D	文件：42.7 Kbytes Page：6 Pages	Thyristorslogiclevel GENERALDESCRIPTION Glasspassivated,sensitivegatethyristorsinaplasticenvelope,intendedforuseingeneralpurposeswitchingandphasecontrolapplications.Thesedevicesareintendedtobeinterfaceddirectlytomicrocontrollers,logicintegratedcircuitsandotherlowpowergatetrigger	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BT149D	文件：316.01 Kbytes Page：13 Pages	SCR	WEENWeEn Semiconductors 瑞能半導(dǎo)體瑞能半導(dǎo)體科技股份有限公司	WEEN
BT149E	文件：42.7 Kbytes Page：6 Pages	Thyristorslogiclevel GENERALDESCRIPTION Glasspassivated,sensitivegatethyristorsinaplasticenvelope,intendedforuseingeneralpurposeswitchingandphasecontrolapplications.Thesedevicesareintendedtobeinterfaceddirectlytomicrocontrollers,logicintegratedcircuitsandotherlowpowergatetrigger	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BT149G	文件：42.7 Kbytes Page：6 Pages	Thyristorslogiclevel GENERALDESCRIPTION Glasspassivated,sensitivegatethyristorsinaplasticenvelope,intendedforuseingeneralpurposeswitchingandphasecontrolapplications.Thesedevicesareintendedtobeinterfaceddirectlytomicrocontrollers,logicintegratedcircuitsandotherlowpowergatetrigger	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips

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晶體管資料

型號(hào)：
BC149(B,C)
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產(chǎn)廠家：
制作材料：
Si-NPN
性質(zhì)：
通用型（Uni）_低噪放大（ra）
封裝形式：
直插封裝
極限工作電壓：
30V
最大電流允許值：
0.2A
最大工作頻率：
250MHZ
引腳數(shù)：
3
可代換的型號(hào)：
BC109,BC173,BC184,BC209,BC239,BC384,BC549,3DG120A,
最大耗散功率：
0.3W
放大倍數(shù)：
β=900
圖片代號(hào)：
H-93
vtest：
30
htest：
250000000
atest：
0.2
wtest：
0.3

詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
BC149
功能描述：
TRANZYSTORY NPN

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市富誠威科技有限公司	BC14B143A06AU	CSR	22+	BGA	6550	絕對(duì)原裝公司現(xiàn)貨!	詢價(jià)
深圳市弘為電子有限公司	BC150	MOT/PHI	16+	CAN3	10000	原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢價(jià)
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中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	BC150	MOT/PHI	專業(yè)鐵帽	CAN3	67500	鐵帽原裝主營-可開原型號(hào)增稅票	詢價(jià)
現(xiàn)代芯城（深圳）科技有限公司	BC1500		24+	N/A	73000	一級(jí)代理-主營優(yōu)勢-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇	詢價(jià)
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更多BC149供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-3 15:39:00

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