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零件編號(hào)	下載&訂購(gòu)	功能描述	制造商&上傳企業(yè)	LOGO
BB909A	文件：30.3 Kbytes Page：4 Pages	VHF variable capacitance diodes DESCRIPTION TheBB909A,BB909Barevariablecapacitancediodes,fabricatedinplanartechnology,andencapsulatedinhermeticallysealedleadedglassSOD68(DO-34)packages. FEATURES ?Excellentlinearity ?Matchedto2.5 ?HermeticallysealedleadedglassSOD68(DO-34)package ?C28:2.9pF	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BB909B	文件：30.3 Kbytes Page：4 Pages	VHFvariablecapacitancediodes DESCRIPTION TheBB909A,BB909Barevariablecapacitancediodes,fabricatedinplanartechnology,andencapsulatedinhermeticallysealedleadedglassSOD68(DO-34)packages. FEATURES ?Excellentlinearity ?Matchedto2.5 ?HermeticallysealedleadedglassSOD68(DO-34)package ?C28:2.9pF	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BD909	文件：149.19 Kbytes Page：3 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPLASTICPOWERTRANSISTORS	bocaBoca Semiconductor Corporation 博卡博卡半導(dǎo)體公司	boca
BD909	文件：143.24 Kbytes Page：3 Pages	POWERTRANSISTORS(15A,90W)	MOSPECMospec Semiconductor 統(tǒng)懋統(tǒng)懋半導(dǎo)體股份有限公司	MOSPEC
BD909	文件：97.27 Kbytes Page：6 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS DESCRIPTION TheBD909andBD911aresiliconEpitaxial-BaseNPNpowertransistorsmountedinJedecTO-220plasticpackage.Theyareintentedforuseinpowerlinearandswitchingapplications. ThecomplementaryPNPtypesareBD910andBD912respectively. ■STMicroelectronicsPREFERREDSALESTYPES	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
BD909	文件：148.29 Kbytes Page：4 Pages	SiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION ?WithTO-220Cpackage ?ComplementtotypeBD910BD912 APPLICATIONS ?Intentedforuseinpowerlinearandswitchingapplications	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
BD909	文件：179.88 Kbytes Page：4 Pages	SiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION ?WithTO-220Cpackage ?ComplementtotypeBD910BD912 APPLICATIONS ?Intentedforuseinpowerlinearandswitchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
BD909	文件：103.49 Kbytes Page：3 Pages	SILICONPOWERTRANSISTORS SILICONPOWERTRANSISTORS TheBD909andDB911,aresiliconepitaxial-baseNPNpowertransistorsinaTO-220 envelope.Theyareintendedforuseinpowerlinearandswitchingapplications. CompliancetoRoHS.	COMSET Comset Semiconductor	COMSET
BD909	文件：127.96 Kbytes Page：4 Pages	PLASTICPOWERTRANSISTORS PowerLinearandSwitchingApplications	CDIL Continental Device India Limited	CDIL
BD909	文件：2.43533 Mbytes Page：31 Pages	SEMICONDUCTORS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類(lèi)制造商etc2未分類(lèi)制造商	etc2
BD909	文件：132.76 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNPowerTransistor	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
BD909NPN	文件：127.96 Kbytes Page：4 Pages	PLASTICPOWERTRANSISTORS PowerLinearandSwitchingApplications	CDIL Continental Device India Limited	CDIL
BF909	文件：320.32 Kbytes Page：12 Pages	N-channeldualgateMOS-FETs DESCRIPTION Enhancementtypefield-effecttransistorinaplasticmicrominiatureSOT143orSOT143Rpackage.ThetransistorconsistsofanamplifierMOS-FETwithsourceandsubstrateinterconnectedandaninternalbiascircuittoensuregoodcross-modulationperformanceduringAGC. FEATURES ?Sp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
BF909	文件：148.94 Kbytes Page：11 Pages	N-channeldualgateMOS-FETs DESCRIPTION Enhancementtypefield-effecttransistorinaplasticmicrominiatureSOT143orSOT143Rpackage.ThetransistorconsistsofanamplifierMOS-FETwithsourceandsubstrateinterconnectedandaninternalbiascircuittoensuregoodcross-modulationperformanceduringAGC. FEATURES ?Sp	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BF909	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
BF909A	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
BF909AR	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
BF909AWR	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
BF909R	文件：148.94 Kbytes Page：11 Pages	N-channeldualgateMOS-FETs DESCRIPTION Enhancementtypefield-effecttransistorinaplasticmicrominiatureSOT143orSOT143Rpackage.ThetransistorconsistsofanamplifierMOS-FETwithsourceandsubstrateinterconnectedandaninternalbiascircuittoensuregoodcross-modulationperformanceduringAGC. FEATURES ?Sp	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BF909R	文件：320.32 Kbytes Page：12 Pages	N-channeldualgateMOS-FETs DESCRIPTION Enhancementtypefield-effecttransistorinaplasticmicrominiatureSOT143orSOT143Rpackage.ThetransistorconsistsofanamplifierMOS-FETwithsourceandsubstrateinterconnectedandaninternalbiascircuittoensuregoodcross-modulationperformanceduringAGC. FEATURES ?Sp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp

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更多BB909A供應(yīng)商更新時(shí)間2024-12-28 8:20:00

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