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BF909AWR

RF Manual 16th edition

Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

BF909AWR,115

Package：SC-82A，SOT-343；包裝：卷帶（TR） 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 描述：MOSFET N-CH 7V 40MA SOT143R

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

BF909R

RFManual16thedition

Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

BF909R

N-channeldualgateMOS-FETs

DESCRIPTION Enhancementtypefield-effecttransistorinaplasticmicrominiatureSOT143orSOT143Rpackage.ThetransistorconsistsofanamplifierMOS-FETwithsourceandsubstrateinterconnectedandaninternalbiascircuittoensuregoodcross-modulationperformanceduringAGC. FEATURES ?Sp

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

BF909R

N-channeldualgateMOS-FETs

DESCRIPTION Enhancementtypefield-effecttransistorinaplasticmicrominiatureSOT143orSOT143Rpackage.ThetransistorconsistsofanamplifierMOS-FETwithsourceandsubstrateinterconnectedandaninternalbiascircuittoensuregoodcross-modulationperformanceduringAGC. FEATURES ?Sp

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

BF909WR

RFManual16thedition

Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

BF909WR

N-channeldual-gateMOS-FET

DESCRIPTION Enhancementtypefield-effecttransistorinaplasticmicrominiatureSOT343Rpackage.ThetransistorconsistsofanamplifierMOS-FETwithsourceandsubstrateinterconnectedandaninternalbiascircuittoensuregoodcross-modulationperformanceduringAGC. FEATURES ?Speciallyde

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

BLV909

UHFpowertransistor

DESCRIPTION NPNsiliconplanarepitaxialtransistorinan8-leadSOT409BSMDpackagewithaceramiccap.Allleadsareisolatedfromthemountingbase. FEATURES ?Emitterballastingresistorsforoptimumtemperatureprofile ?Goldmetallizationensuresexcellentreliability ?Internalinputm

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

CD909

NPNPLASTICPOWERTRANSISTOR

NPNPLASTICPOWERTRANSISTOR PowerLinearandSwitchingApplications

CDIL

Continental Device India Limited

CM909

T-5WedgeBase

T-5WedgeBase TL-3/4WireTerminalLensEnd TL-3/4Micro-MidgetFlangeBaseLensEnd

CML

Chicago Miniature Lamp,inc

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    BF909AWR

  • 功能描述：

    射頻MOSFET小信號晶體管 TAPE-7 MOS-RFSS

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    NXP Semiconductors

  • 配置：

    Dual Dual Gate

  • 晶體管極性：

    N-Channel 電阻汲極/源極

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    6 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    6 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    30 mA

  • 功率耗散：

    180 mW

  • 最大工作溫度：

    + 150 C

  • 安裝風(fēng)格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    SC-88

  • 封裝：

    Reel

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
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更多BF909AWR供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-11 14:17:00

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