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零件編號(hào)	下載&訂購(gòu)	功能描述	制造商&上傳企業(yè)	LOGO
BD649	文件：105.89 Kbytes Page：5 Pages	NPNSILICONPOWERDARLINGTONS	BournsBourns Electronic Solutions 伯恩斯	Bourns
BD649	文件：115.8 Kbytes Page：6 Pages	NPNSILICONPOWERDARLINGTONS PNPSILICONPOWERDARLINGTONS ●DesignedforComplementaryUsewithBD645,BD647,BD649andBD651 ●62.5Wat25°CCaseTemperature ●8AContinuousCollectorCurrent ●MinimumhFEof750at3V,3A	POINN Power Innovations Ltd	POINN
BD649	文件：125.89 Kbytes Page：4 Pages	NPNSILICONDARLINGTONTRANSISTORS NPNSILICONDARLINGTONTRANSISTORS	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國(guó)西門子股份公司	SIEMENS
BD649	文件：116.15 Kbytes Page：4 Pages	SiliconNPNPowerTransistors SiliconPNPPowerTransistors DESCRIPTION ·WithTO-220Cpackage ·ComplementtotypeBD645/647/649/651 ·DARLINGTON APPLICATIONS ·Foruseinoutputstagesinaudioequipment,generalamplifier,andanalogueswitchingapplications	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
BD649	文件：336.95 Kbytes Page：5 Pages	SILICONDARLINGTONPOWERTRANSISTORS SILICONDARLINGTONPOWERTRANSISTORS PNPepitaxial-basetransistorsinamonolithicDalringtoncircuitandhousedinaTO-220enveloppe.Theyareintendedforoutputstagesinaudioequipment,generalamplifiers,andanalogueswitchingapplication. NPNcomplementsareBD643,BD645,BD647	COMSET Comset Semiconductor	COMSET
BD649	文件：108.25 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNDarlingtonPowerTransistor DESCRIPTION ?Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=100V(Min) ?HighDCCurrentGain:hFE=750(Min)@IC=3A ?LowSaturationVoltage ?ComplementtoTypeBD650 APPLICATIONS ?DesignedforuseascomplementaryAFpush-pulloutputstageapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
BD649	文件：127.08 Kbytes Page：4 Pages	PNPSILICONDARLINGTONTRANSISTORS NPNSILICONDARLINGTONTRANSISTORS	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國(guó)西門子股份公司	SIEMENS
BD649	文件：105.89 Kbytes Page：5 Pages	NPNSILICONPOWERDARLINGTONS NPNSILICONPOWERDARLINGTONS ●RoHScompliant* ●DesignedforComplementaryUsewithBD646,BD648,BD650andBD652 ●62.5Wat25°CCaseTemperature ●8AContinuousCollectorCurrent ●MinimumhFEof750at3V,3A	BournsBourns Electronic Solutions 伯恩斯	Bourns
BD649	文件：90.32 Kbytes Page：4 Pages	NPNSILICONPOWERDARLINGTONS NPNSILICONPOWERDARLINGTONS ●RoHScompliant* ●DesignedforComplementaryUsewithBD646,BD648,BD650andBD652 ●62.5Wat25°CCaseTemperature ●8AContinuousCollectorCurrent ●MinimumhFEof750at3V,3A	BournsBourns Electronic Solutions 伯恩斯	Bourns
BD649	文件：112.31 Kbytes Page：5 Pages	SILICONDARLINGTONPOWERTRANSISTORS	COMSET Comset Semiconductor	COMSET
BD649	文件：74.47 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconDarlingtonTransistors Eplbasepowerdarlingtontransistors(62.5W) BD643,BD645,BD647,andBD649aremonolithicNPNSiliconepibasepowerdarlingtontransistorswithdiodeandresistorsinaTO220ABplasticpackage(TOP-66).Thecollectorsofthetwotransistorsareelectricallyconnectedtothemetallicmounting	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
BD649F	文件：278.82 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNDarlingtonPowerTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
BD649-S	文件：90.32 Kbytes Page：4 Pages	NPNSILICONPOWERDARLINGTONS NPNSILICONPOWERDARLINGTONS ●RoHScompliant* ●DesignedforComplementaryUsewithBD646,BD648,BD650andBD652 ●62.5Wat25°CCaseTemperature ●8AContinuousCollectorCurrent ●MinimumhFEof750at3V,3A	BournsBourns Electronic Solutions 伯恩斯	Bourns
C649	文件：501.68 Kbytes Page：1 Pages	500WATTS(AC)DC/DCSINGLEOUTPUT Features ?SingleOutput ?3Ux42TEx166.5mm ?Weight:3.5kg	POWERBOX Powerbox manufactures	POWERBOX
CMX649	文件：48.09 Kbytes Page：1 Pages	TheProductDataAmendmentseriesofdocuments	CMLMICRO CML Microcircuits	CMLMICRO
CN649	文件：73.86 Kbytes Page：2 Pages	GLASSPASSIVATEDJUNCTIONGENERALPURPOSEDIODE	CentralCentral Semiconductor Corp 美國(guó)中央半導(dǎo)體	Central
CN649	文件：73.86 Kbytes Page：2 Pages	GLASSPASSIVATEDJUNCTIONGENERALPURPOSEDIODE DESCRIPTION TheCENTRALSEMICONDUCTORCN645SeriestypesareGlassPassivatedJunctiongeneral-purposediodes,whicharewellconstructed,highlyreliablecomponentsdesignedforuseinalltypesofcommercial,industrial,entertainment,computerandautomotiveapplications.	CentralCentral Semiconductor Corp 美國(guó)中央半導(dǎo)體	Central
CSB649	文件：92.55 Kbytes Page：3 Pages	PLASTICPOWERTRANSISTORS	CDIL Continental Device India Limited	CDIL
CSB649A	文件：92.55 Kbytes Page：3 Pages	PLASTICPOWERTRANSISTORS	CDIL Continental Device India Limited	CDIL
E649	文件：100.38 Kbytes Page：14 Pages	OctalPinElectronicsDriver/Receiver Description TheEdge649isanoctalpinelectronicsdriverandreceivercombinationfabricatedinahigh-performanceCMOSprocess.Itisdesignedforautomatictestequipmentandinstrumentationwherecost,functionaldensity,andpowerareallatapremium. Features ?50MHzOperation ?11V	SEMTECH Semtech Corporation	SEMTECH

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深圳市億智騰科技有限公司	B649-C		24+	TO-126	6430	原裝現(xiàn)貨/歡迎來(lái)電咨詢	詢價(jià)
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更多B649-C供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-17 13:36:00

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