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IlluminatedPushbutton-22,25,28&30mm | CIT CIT Relay & Switch | CIT | ||
IlluminatedPushbutton-22,25,28&30mm | CIT CIT Relay & Switch | CIT | ||
APCBack-UPS,6Outlets,425VA,120V | SCHNEIDERSchneider Electric 施耐德施耐德電氣 | SCHNEIDER | ||
NPN25GHzwidebandtransistor DESCRIPTION NPNdoublepolysiliconwidebandtransistorwithburiedlayerforlowvoltageapplicationsinaplastic,4-pindual-emitterSOT343Rpackage. FEATURES ?Veryhighpowergain ?Lownoisefigure ?Hightransitionfrequency ?Emitteristhermallead ?Lowfeedbackcapacitance. APPLI | PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦 | Philips | ||
Microwave,lownoise,SiGeNPNHBT Microwave,lownoise,SiGeNPNHBT UHF25GHZ,lownoisetransistorwithSiGeHBTtechnique,highpowergain,lownoiseandlargedynamicrange.TheadoptionofsubminiatureSOT-343Rpackage,especiallysuitableforhighdensitysurfacepatchinstallation,mainlyfortheVHF,UHFbroadbandhigh | SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 時(shí)科廣東時(shí)科微實(shí)業(yè)有限公司 | SKTECHNOLGY | ||
NPNTransistors ■Features ●Veryhighpowergain ●Lownoisefigure ●25GHzwidebandtransistor ●Emitteristhermallead ●Lowfeedbackcapacitance. | KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司 | KEXIN | ||
RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp | nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司 | nxp | ||
iscSiliconNPNRFTransistor DESCRIPTION ?HighPowerGain ?HighCurrentGainBandwidthProduct ?LowNoiseFigure ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ?DesignedforuseinRFwidebandamplifiersandoscillators. | ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司 | ISC | ||
GENERALPURPOSETRANSISTORRFNPNTRANSISTORMICROWAVELOWNOISE DESCRIPTION UHF25GHz,lownoisetransistorwithSiGeHBTtechnique,highpowergain,lownoiseandlargedynamicrange.TheadoptionofsubminiatureSOT-343package,especiallysuitableforhighdensitysurfacepatchinstallation,mainlyfortheVHF,UHFbroadbandhighfrequencylownoiseampli | AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 創(chuàng)瑞科技AiT創(chuàng)瑞科技 | AITSEMI | ||
Si-MMIC-AmplifierinSIEGET25-Technologie(Multifunctionalcasc.50廓blockLNA/MIXUnconditionallystable) Si-MMIC-AmplifierinSIEGET?25-Technologie Preliminarydata ?Multifunctionalcasc.50?block(LNA/MIX) ?Unconditionallystable ?Gain|S21|2=18.5dBat1.8GHz(appl.1) gain|S21|2=22dBat1.8GHz(appl.2) IP3out=+7dBmat1.8GHz(VD=3V,ID=9.5mA) ?NoisefigureNF=2 | SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國(guó)西門子股份公司 | SIEMENS |
晶體管資料
- 型號(hào)：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性質(zhì)：
低頻或音頻放大 （LF）
- 封裝形式：
- 極限工作電壓：
45V
- 最大電流允許值：
0.5A
- 最大工作頻率：
<1MHZ或未知
- 引腳數(shù)：
- 可代換的型號(hào)：
2N3301,2N3302,2N4450,2N4951,2N4952,BSV59,
- 最大耗散功率：
0.36W
- 放大倍數(shù)：
- 圖片代號(hào)：
NO
- vtest：
45
- htest：
999900
- atest：
0.5
- wtest：
0.36
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
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ATMEL |
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24+ |
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10000 |
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24+ |
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2500 |
優(yōu)勢(shì)庫(kù)存,原裝正品 |
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23+ |
65600 |
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23+ |
587736 |
原廠授權(quán)代理,海外優(yōu)勢(shì)訂貨渠道?？商峁┐罅繋?kù)存,詳 |
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