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BFG425W分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料

BFG425W
廠商型號

BFG425W

參數(shù)屬性

BFG425W 封裝/外殼為SC-82A,SOT-343;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 4.5V 25GHZ CMPAK-4

功能描述

NPN 25 GHz wideband transistor

文件大小

111.81 Kbytes

頁面數(shù)量

12

生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡稱

Philips飛利浦

中文名稱

荷蘭皇家飛利浦官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2024-12-29 9:16:00

BFG425W規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

NPN double polysilicon wideband transistor with buried layer for low voltage applications in a plastic, 4-pin dual-emitter SOT343R package.

FEATURES

? Very high power gain

? Low noise figure

? High transition frequency

? Emitter is thermal lead

? Low feedback capacitance.

APPLICATIONS

? RF front end

? Wideband applications, e.g. analog and digital cellular

telephones, cordless telephones (PHS, DECT, etc.)

? Radar detectors

? Pagers

? Satellite television tuners (SATV)

? High frequency oscillators.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    BFG425W,135

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    4.5V

  • 頻率 - 躍遷:

    25GHz

  • 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時的典型值):

    0.8dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz

  • 增益:

    20dB

  • 功率 - 最大值:

    135mW

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    50 @ 25mA,2V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    30mA

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    SC-82A,SOT-343

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    CMPAK-4

  • 描述:

    RF TRANS NPN 4.5V 25GHZ CMPAK-4

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