BFG425W分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
BFG425W |
參數(shù)屬性 | BFG425W 封裝/外殼為SC-82A,SOT-343;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 4.5V 25GHZ CMPAK-4 |
功能描述 | NPN 25 GHz wideband transistor |
文件大小 |
111.81 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
12 頁 |
生產(chǎn)廠商 | NXP Semiconductors |
企業(yè)簡稱 |
Philips【飛利浦】 |
中文名稱 | 荷蘭皇家飛利浦官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2024-12-29 9:16:00 |
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DESCRIPTION
NPN double polysilicon wideband transistor with buried layer for low voltage applications in a plastic, 4-pin dual-emitter SOT343R package.
FEATURES
? Very high power gain
? Low noise figure
? High transition frequency
? Emitter is thermal lead
? Low feedback capacitance.
APPLICATIONS
? RF front end
? Wideband applications, e.g. analog and digital cellular
telephones, cordless telephones (PHS, DECT, etc.)
? Radar detectors
? Pagers
? Satellite television tuners (SATV)
? High frequency oscillators.
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
BFG425W,135
- 制造商:
NXP USA Inc.
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻
- 包裝:
卷帶(TR)
- 晶體管類型:
NPN
- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):
4.5V
- 頻率 - 躍遷:
25GHz
- 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時的典型值):
0.8dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz
- 增益:
20dB
- 功率 - 最大值:
135mW
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):
50 @ 25mA,2V
- 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):
30mA
- 工作溫度:
150°C(TJ)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
SC-82A,SOT-343
- 供應(yīng)商器件封裝:
CMPAK-4
- 描述:
RF TRANS NPN 4.5V 25GHZ CMPAK-4
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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