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APT36GA60B

Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs

POWERMOS7?MOSFET PowerMOS7?isanewgenerationoflowloss,highvoltage,N-ChannelenhancementmodepowerMOSFETS.BothconductionandswitchinglossesareaddressedwithPowerMOS7?bysignificantlyloweringRDS(ON)andQg.PowerMOS7?combineslowerconductionandswitchinglossesalon

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

APT36GA60B

High Speed PT IGBT

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

APT36GA60B

Power Semiconductors Power Modules

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

APT36GA60B

Package:TO-247-3;包裝:管件 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述:IGBT 600V 65A 290W TO-247

MicrochipMicrochip Technology

微芯科技微芯科技股份有限公司

APT36GA60BD15

Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs

POWERMOS7?MOSFET PowerMOS7?isanewgenerationoflowloss,highvoltage,N-ChannelenhancementmodepowerMOSFETS.BothconductionandswitchinglossesareaddressedwithPowerMOS7?bysignificantlyloweringRDS(ON)andQg.PowerMOS7?combineslowerconductionandswitchinglossesalon

MicrosemiMicrosemi Corporation

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IGBT

DESCRIPTION ·FastswitchingwithlowEMI ·Lowconductionloss ·Lowgatecharge APPLICATIONS ·Welding ·UPS,solar,andotherinverters ·Highfrequency,highefficiencyindustrial

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

APT36GA60BD15

High Speed PT IGBT

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

APT36GA60BD15

Power Semiconductors Power Modules

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

APT36GA60BD15

Package:TO-247-3;包裝:管件 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述:IGBT 600V 65A 290W TO-247

MicrochipMicrochip Technology

微芯科技微芯科技股份有限公司

APT36GA60S

HighSpeedPTIGBT

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    APT36GA60B

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    POWER MOS 8?

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    PT

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.5V @ 15V,20A

  • 開關(guān)能量:

    307μJ(開),254μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:

    16ns/122ns

  • 測(cè)試條件:

    400V,20A,10 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247 [B]

  • 描述:

    IGBT 600V 65A 290W TO-247

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
APTMICROSEMI
17+
TO-247B
31518
原裝正品 可含稅交易
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Microsemi
24+
N/A
5600
正常排單原廠正規(guī)渠道保證原裝正品
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MICROSEMI
638
原裝正品
詢價(jià)
Microch
20+
NA
33560
原裝優(yōu)勢(shì)主營(yíng)型號(hào)-可開原型號(hào)增稅票
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Microsemi
1942+
N/A
98
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MICROSEMI
1809+
TO-247
326
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APT
23+
TO-247B
10000
公司只做原裝正品
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Microsemi Corporation
21+
TO247 [B]
13880
公司只售原裝,支持實(shí)單
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Microchip
21+
15000
只做原裝
詢價(jià)
APT
23+
TO-247B
6000
原裝正品,支持實(shí)單
詢價(jià)
更多APT36GA60B供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-23 14:00:00