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APT35GP120B2DQ2 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 MICROSEMI/美高森美

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  • 廠家型號(hào)：

    APT35GP120B2DQ2

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    MICROSEMI-美高森美

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    78800

  • 產(chǎn)品封裝：

    T-MAXB2

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    24+25+/26+27+

  • 庫(kù)存類型：

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2025-1-7 16:16:00

  • 詳細(xì)信息
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原廠料號(hào)：APT35GP120B2DQ2品牌：MICROSEMI-美高森美

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  • 芯片型號(hào)：

    APT35GP120B2DQ2

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    ADPOW詳情

  • 廠商全稱：

    Advanced Power Technology

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    9 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    426.35 kb

  • 資料說(shuō)明：

    POWER MOS 7 IGBT

產(chǎn)品參考屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    APT35GP120B2DQ2G

  • 制造商：

    Microchip Technology

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    POWER MOS 7?

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    PT

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    3.9V @ 15V，35A

  • 開(kāi)關(guān)能量：

    750μJ（開(kāi)），680μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：

    16ns/95ns

  • 測(cè)試條件：

    600V，35A，4.3 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3 變式

  • 描述：

    IGBT 1200V 96A 543W TMAX

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市驚羽科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    劉先生

  • 手機(jī)：

    13147005145

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    131-4700-5145

  • 傳真：

    075583040836

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)深南中路3037號(hào)南光捷佳大廈2031室

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