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APT30GN60BG

Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs

POWERMOS7?MOSFET PowerMOS7?isanewgenerationoflowloss,highvoltage,N-ChannelenhancementmodepowerMOSFETS.BothconductionandswitchinglossesareaddressedwithPowerMOS7?bysignificantlyloweringRDS(ON)andQg.PowerMOS7?combineslowerconductionandswitchinglossesalon

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APT30GN60BG

IGBT

ADPOW

Advanced Power Technology

APT30GN60BG

Resonant Mode Combi IGBT

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Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs

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Power Semiconductors Power Modules

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APT30GN60BG

包裝：卷帶（TR） 封裝/外殼：TO-247-3 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 63A 203W TO247

MicrochipMicrochip Technology

微芯科技微芯科技股份有限公司

APT30GN60B

ResonantModeCombiIGBT

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IGBT

ADPOW

Advanced Power Technology

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ResonantModeCombiIGBT

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ResonantModeCombiIGBT

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ResonantModeCombiIGBT

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    APT30GN60BG

  • 制造商：

    Microchip Technology

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • IGBT 類型：

    溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    1.9V @ 15V，30A

  • 開關(guān)能量：

    525μJ（開），700μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：

    12ns/155ns

  • 測試條件：

    400V，30A，4.3 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247 [B]

  • 描述：

    IGBT 600V 63A 203W TO247

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
Microsemi
2019
TO-247
19700
INFINEON品牌專業(yè)原裝優(yōu)質(zhì)
 詢價(jià)
Microsemi
23+
IGBT
7750
全新原裝優(yōu)勢
 詢價(jià)
APT
22+
原廠原封
8200
原裝現(xiàn)貨庫存.價(jià)格優(yōu)勢!!
 詢價(jià)
Microsemi
22+23+
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絕對原裝正品現(xiàn)貨,全新深圳原裝進(jìn)口現(xiàn)貨
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TO-247
32000
原裝正品,現(xiàn)貨特價(jià)
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原裝正品
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20+
NA
33560
原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票
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TO-247
80000
只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增
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 詢價(jià)
APT
24+
TO-247
564
詢價(jià)
更多APT30GN60BG供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-10-26 19:20:00

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