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APT27GA90BD15

High Speed PT IGBT

HighSpeedPTIGBT POWERMOS8?isahighspeedPunch-Throughswitch-modeIGBT.LowEoffisachievedthroughleadingtechnologysilicondesignandlifetimecontrolprocesses.AreducedEoff-VCE(ON)tradeoffresultsinsuperiorefficiencycomparedtootherIGBTtechnologies.Lowgatechargeand

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

APT27GA90BD15

Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs

POWERMOS7?MOSFET PowerMOS7?isanewgenerationoflowloss,highvoltage,N-ChannelenhancementmodepowerMOSFETS.BothconductionandswitchinglossesareaddressedwithPowerMOS7?bysignificantlyloweringRDS(ON)andQg.PowerMOS7?combineslowerconductionandswitchinglossesalon

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

APT27GA90BD15

Power Semiconductors Power Modules

MicrosemiMicrosemi Corporation

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APT27GA90BD15

Package：TO-247-3；包裝：管件 類別：分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 900V 48A 223W TO247

MicrochipMicrochip Technology

微芯科技微芯科技股份有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    APT27GA90BD15

  • 制造商：

    Microchip Technology

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    PT

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    3.1V @ 15V，14A

  • 開關能量：

    413μJ（開），287μJ（關）

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關）值：

    9ns/98ns

  • 測試條件：

    600V，14A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應商器件封裝：

    TO-247 [B]

  • 描述：

    IGBT 900V 48A 223W TO247

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Microchip Technology
24+
TO-247-3
30000
晶體管-分立半導體產(chǎn)品-原裝正品
 詢價
Microsemi
23+
IGBT
7750
全新原裝優(yōu)勢
 詢價
Microsemi
24+
N/A
5600
正常排單原廠正規(guī)渠道保證原裝正品
 詢價
MICROSEMI
638
原裝正品
 詢價
2023+
TO-247B
80000
一級代理/分銷渠道價格優(yōu)勢 十年芯程一路只做原裝正品
 詢價
Microsemi
1942+
N/A
98
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 詢價
MICROSEMI
1809+
TO-247
326
就找我吧!--邀您體驗愉快問購元件!
 詢價
Microsemi Corporation
22+
TO247 [B]
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
 詢價
Microsemi Corporation
21+
TO247 [B]
13880
公司只售原裝,支持實單
 詢價
Microchip
21+
15000
只做原裝
 詢價
更多APT27GA90BD15供應商 更新時間2025-1-22 16:26:00

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