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APT100GT120JRDL_APTIV/安波福_IGBT 1200V 123A 570W SOT227安富世紀(jì)二部

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  • 廠家型號(hào)：

    APT100GT120JRDL

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    APT

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    7300

  • 產(chǎn)品封裝：

    MODULE

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    23+

  • 庫(kù)存類型：

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2025-1-27 15:02:00

  • 詳細(xì)信息
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原廠料號(hào)：APT100GT120JRDL品牌：APT

專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨

  • 芯片型號(hào)：

    APT100GT120JRDL

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    MICROSEMI【美高森美】詳情

  • 廠商全稱：

    Microsemi Corporation

  • 中文名稱：

    美高森美公司

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    9 頁(yè)

  • 文件大小：

    234.46 kb

  • 資料說(shuō)明：

    Resonant Mode IGBT

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào)：

    APT100GT120JRDL

  • 功能描述：

    IGBT 1200V 123A 570W SOT227

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    半導(dǎo)體模塊 >> IGBT

  • 系列：

    -

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    10

  • 系列：

    GenX3™ IGBT

  • 類型：

    PT

  • 配置：

    單一 電壓 -

  • 集電極發(fā)射極擊穿（最大）：

    600V Vge,

  • Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）：

    1.4V @ 15V，100A 電流 -

  • 集電極(Ic)（最大）：

    430A 電流 -

  • 集電極截止（最大）：

    100µA Vce

  • 時(shí)的輸入電容(Cies)：

    31nF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    1000W

  • 輸入：

    標(biāo)準(zhǔn) NTC

  • 熱敏電阻：

    無(wú)

  • 安裝類型：

    底座安裝

  • 封裝/外殼：

    SOT-227-4，miniBLOC

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    SOT-227B

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市安富世紀(jì)電子有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    趙妍

  • 手機(jī)：

    18100277303

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-23991454

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號(hào)華強(qiáng)廣場(chǎng)A棟17E

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