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AOTF6N90

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半導體有限公司

AOTF6N90

isc N-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

AOTF6N90

HVMOS Family Report

AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

萬國半導體美國萬國半導體

FIR6N90FG

900VN-ChannelMOSFET-T

FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd.

福斯特半導體深圳市福斯特半導體有限公司

FQA6N90

900VN-ChannelMOSFET

GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

FQA6N90

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=6.4A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=900V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=2.3Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconv

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

FQA6N90C

iscN-ChannelMOSFETTransistor

·FEATURES ·Lowdrain-sourceon-resistance: RDS(ON)=2.0Ω(typ.) ·Enhancementmode: VGS(th)=3.0to5.0V(VDS=10V,ID=0.25mA) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation ·DESCRITION ·SwitchingVoltageRegulators

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

FQA6N90C

900VN-ChannelMOSFET

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

FQA6N90C

900VN-ChannelMOSFET

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

FQA6N90C

900VN-ChannelMOSFET

Description TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology.Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhig

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    AOTF6N90

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 900V 6A TO220F

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    -

  • 標準包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
AOS(萬代)
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標準封裝
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我們只是原廠的搬運工
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Alpha & Omega Semiconductor In
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TO-220F
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晶體管-分立半導體產(chǎn)品-原裝正品
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AOS
TO-220F
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更多AOTF6N90供應商 更新時間2025-2-25 17:00:00

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