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FQA6N90C中文資料仙童半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

FQA6N90C
廠商型號

FQA6N90C

功能描述

900V N-Channel MOSFET

文件大小

611.92 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 Fairchild Semiconductor
企業(yè)簡稱

Fairchild仙童半導(dǎo)體

中文名稱

飛兆/仙童半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-1-17 18:47:00

FQA6N90C規(guī)格書詳情

Description

These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology hasbeen especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devicesare well suited for high efficient switched mode power supplies, active power factor correction, electronic lamp ballast based on half bridge topology.

Features

? 6A, 900V, RDS(on)= 2.3?@VGS= 10 V

? Low gate charge ( typical 30 nC)

? Low Crss ( typical 11pF)

?Fast switching

? 100 avalanche tested

? Improved dv/dt capability

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    FQA6N90C

  • 功能描述:

    MOSFET 900V N-Ch Q-FET advance C-Series

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
FSC
14+
TO-247
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一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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354000
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