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AOB412L	文件：313.05 Kbytes Page：7 Pages	100V N-Channel MOSFET GeneralDescription TheAOT412&AOB412LarefabricatedwithSDMOSTMtrenchtechnologythatcombinesexcellentRDS(ON)withlowgatecharge&lowQrr.Theresultisoutstandingefficiencywithcontrolledswitchingbehavior.ThisuniversaltechnologyiswellsuitedforPWM,loadswitchinga	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體美國(guó)萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體	AOSMD
AOB412L	文件：282.71 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
AOD412	文件：115.94 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAOD412usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandlowgateresistance.ThisdeviceisideallysuitedforuseasahighsideswitchinCPUcorepowerconversion.StandardProductAOD412isPb-free(meetsROHS&Sony259specificatio	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體美國(guó)萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體	AOSMD
AOD412	文件：1.00097 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgandUISTested ?ComplianttoRoHSDirective2011/65/EU APPLICATIONS ?OR-ing ?Server ?DC/DC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
AOD412	文件：318.32 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=85A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=7.0mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
AOD412L	文件：115.94 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAOD412usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandlowgateresistance.ThisdeviceisideallysuitedforuseasahighsideswitchinCPUcorepowerconversion.StandardProductAOD412isPb-free(meetsROHS&Sony259specificatio	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體美國(guó)萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體	AOSMD
AOT412	文件：315.6 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelSDMOSTMPowerTransistor GeneralDescription TheAOT412andAOT412LisfabricatedwithSDMOSTMtrenchtechnologythatcombinesexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.Theresultisoutstandingefficiencywithcontrolledswitchingbehavior.ThisuniversaltechnologyiswellsuitedforPWM,loadswitchingandgeneralpurpos	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體美國(guó)萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體	AOSMD
AOT412	文件：282.78 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor ?DESCRITION ?Besuitableforsynchronousrectificationforserverand generalpurposeapplications ?FEATURES ?DrainCurrent–ID=60A@TC=25℃ ?DrainSourceVoltage- :VDSS=100V(Min) ?StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=15.8mΩ(Max) ?100avalanchetested ?Minimu	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
AOT412L	文件：315.6 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelSDMOSTMPowerTransistor GeneralDescription TheAOT412andAOT412LisfabricatedwithSDMOSTMtrenchtechnologythatcombinesexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.Theresultisoutstandingefficiencywithcontrolledswitchingbehavior.ThisuniversaltechnologyiswellsuitedforPWM,loadswitchingandgeneralpurpos	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體美國(guó)萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體	AOSMD
AOU412	文件：70.53 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAOU412usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandlowgateresistance.ThisdeviceisideallysuitedforuseasahighsideswitchinCPUcorepowerconversion.StandardProductAOU412isPb-free(meetsROHS&Sony259specificatio	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體美國(guó)萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體	AOSMD
AOU412	文件：353.04 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=85A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=7.5mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
AOU412L	文件：70.53 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAOU412usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandlowgateresistance.ThisdeviceisideallysuitedforuseasahighsideswitchinCPUcorepowerconversion.StandardProductAOU412isPb-free(meetsROHS&Sony259specificatio	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體美國(guó)萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體	AOSMD
AOWF412	文件：502.78 Kbytes Page：7 Pages	100VN-ChannelMOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體美國(guó)萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體	AOSMD
AQY412EH	文件：81.93 Kbytes Page：3 Pages	NormallyclosedDIP4-pineconomictypewithreinforcedinsulationModem FEATURES 1.Highcost-performancetypeof PhotoMOS1FormBoutput 2.Lowon-resistance Thishasbeenrealizedthankstothe built-inMOSFETprocessedbyour proprietarymethod,DSD(Double diffusedandSelectiveDoping)method. 3.Reinforcedinsulationof5,000V Moret	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下電器	Panasonic
AQY412EHA	文件：81.93 Kbytes Page：3 Pages	NormallyclosedDIP4-pineconomictypewithreinforcedinsulationModem FEATURES 1.Highcost-performancetypeof PhotoMOS1FormBoutput 2.Lowon-resistance Thishasbeenrealizedthankstothe built-inMOSFETprocessedbyour proprietarymethod,DSD(Double diffusedandSelectiveDoping)method. 3.Reinforcedinsulationof5,000V Moret	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下電器	Panasonic
AQY412EHAX	文件：81.93 Kbytes Page：3 Pages	NormallyclosedDIP4-pineconomictypewithreinforcedinsulationModem FEATURES 1.Highcost-performancetypeof PhotoMOS1FormBoutput 2.Lowon-resistance Thishasbeenrealizedthankstothe built-inMOSFETprocessedbyour proprietarymethod,DSD(Double diffusedandSelectiveDoping)method. 3.Reinforcedinsulationof5,000V Moret	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下電器	Panasonic
AQY412EHAZ	文件：81.93 Kbytes Page：3 Pages	NormallyclosedDIP4-pineconomictypewithreinforcedinsulationModem FEATURES 1.Highcost-performancetypeof PhotoMOS1FormBoutput 2.Lowon-resistance Thishasbeenrealizedthankstothe built-inMOSFETprocessedbyour proprietarymethod,DSD(Double diffusedandSelectiveDoping)method. 3.Reinforcedinsulationof5,000V Moret	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下電器	Panasonic
ASJ412	文件：156.79 Kbytes Page：1 Pages	2.6mm&3.5mmAUDIOJACKSSTEREO&MONOEARPHONEJACKS	ADAM-TECHAdam Technologies, Inc. 亞當(dāng)科技亞當(dāng)科技股份有限公司	ADAM-TECH
ASTMD412	文件：373.23 Kbytes Page：1 Pages	TechsilConductiveElastomer	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2
ASTMD412	文件：513.88 Kbytes Page：1 Pages	TechsilConductiveElastomer	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
AOB412L
功能描述：
MOSFET N-CH 100V 8.2A TO263
RoHS：
是
類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
系列：
SDMOS™
標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
特點(diǎn)：
邏輯電平門(mén)
漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
C：
18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-220-3 整包
供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
包裝：
管件

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市坤融電子科技有限公司	AOB412L	AOS/萬(wàn)代	24+	TO-263	158	只做原廠渠道可追溯貨源	詢價(jià)
深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司	AOB412L	AOS/萬(wàn)代	22+	TO-263	8550	只做原裝正品假一賠十!正規(guī)渠道訂貨!	詢價(jià)
深圳市華來(lái)深電子有限公司	AOB412L	AOS	23+	TO-263	8560	受權(quán)代理!全新原裝現(xiàn)貨特價(jià)熱賣(mài)!	詢價(jià)
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	AOB412L	AOS	20+	TO-263	60800	AOS原裝主營(yíng)型號(hào)-可開(kāi)原型號(hào)增稅票	詢價(jià)
深圳市納艾斯科技有限公司	AOB412L	AOS	2020+	TO-263	80000	只做自己庫(kù)存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開(kāi)13%增	詢價(jià)
深圳市鼎欣微電子有限公司	AOB412L	AOS/萬(wàn)代	21+	TO-263	30000	只做正品原裝現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市航潤(rùn)創(chuàng)能電子集團(tuán)有限公司	AOB412L	AOS	21+	TO-263	4737	原裝現(xiàn)貨假一賠十	詢價(jià)
深圳市科雨電子有限公司	AOB412L	AOS	1503+	TO-263	3000	就找我吧!--邀您體驗(yàn)愉快問(wèn)購(gòu)元件!	詢價(jià)
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	AOB412L	AOS/萬(wàn)代	23+	TO-263	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價(jià)
深圳市易訊博科技有限公司	AOB412L	AOS	22+	NA	6878	加我QQ或微信咨詢更多詳細(xì)信息,	詢價(jià)

更多AOB412L供應(yīng)商更新時(shí)間2024-12-27 16:36:00

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