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AOB418	文件：113.83 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor GeneralDescription TheAOB418usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandlowgateresistance.ThisdeviceisideallysuitedforuseasahighsideswitchinCPUcorepowerconversion.StandardProductAOB418isPb-free(meetsROHS&Sony259specificatio	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體美國(guó)萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體	AOSMD
AOB4184	文件：143.06 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor GeneralDescription TheAOB4184/LusesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.WiththeexcellentthermalresistanceoftheD2PAKpackage,thisdeviceiswellsuitedforhighcurrentloadapplications.AOB4184andAOB4184Lareelectricallyidentica	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體美國(guó)萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體	AOSMD
AOB4184	文件：1.07162 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 40 V (D-S) MOSFET FEATURES ?ThunderFET?powerMOSFET ?Maximum175°Cjunctiontemperature ?100RgandUIStested ?Materialcategorization:? fordefinitionsofcompliancepleasesee	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
AOB4184	文件：282.38 Kbytes Page：2 Pages	Marking：D2PAK；Package：TO-263；isc N-Channel MOSFET Transistor ?DESCRITION ?Besuitableforsynchronousrectificationforserverand generalpurposeapplications ?FEATURES ?DrainCurrent–ID=30A@TC=25℃ ?DrainSourceVoltage- :VDSS=40V(Min) ?StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=10.5mΩ(Max) ?100avalanchetested ?Minimum	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
AOB4184L	文件：143.06 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor GeneralDescription TheAOB4184/LusesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.WiththeexcellentthermalresistanceoftheD2PAKpackage,thisdeviceiswellsuitedforhighcurrentloadapplications.AOB4184andAOB4184Lareelectricallyidentica	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體美國(guó)萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體	AOSMD
AOB418L	文件：113.83 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor GeneralDescription TheAOB418usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandlowgateresistance.ThisdeviceisideallysuitedforuseasahighsideswitchinCPUcorepowerconversion.StandardProductAOB418isPb-free(meetsROHS&Sony259specificatio	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體美國(guó)萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體	AOSMD
AOB418L	文件：283.38 Kbytes Page：2 Pages	Marking：D2PAK；Package：TO-263；isc N-Channel MOSFET Transistor ?DESCRITION ?Besuitableforsynchronousrectificationforserverand generalpurposeapplications ?FEATURES ?DrainCurrent–ID=105A@TC=25℃ ?DrainSourceVoltage- :VDSS=100V(Min) ?StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=9.7mΩ(Max) ?100avalanchetested ?Minimu	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
AOB418L	文件：301.82 Kbytes Page：7 Pages	100V N-Channel MOSFET GeneralDescription TheAOB418usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandlowgateresistance.ThisdeviceisideallysuitedforuseasahighsideswitchinCPUcorepowerconversion.StandardProductAOB418isPb-free(meetsROHS&Sony259specificatio	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體美國(guó)萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體	AOSMD
AOD418	文件：286.37 Kbytes Page：6 Pages	30VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheAOD418/AOI418usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandlowgateresistance.WiththeexcellentthermalresistanceoftheDPAK/IPAKpackage,thisdeviceiswellsuitedforhighcurrentloadapplications. ProductSummary V	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體美國(guó)萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體	AOSMD
AOD418	文件：293.25 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
AOB418
功能描述：
MOSFET N-CH 100V 105A D2PAK
RoHS：
是
類(lèi)別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
系列：
SDMOS™
標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
特點(diǎn)：
邏輯電平門(mén)
漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
C：
18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安裝類(lèi)型：
通孔
封裝/外殼：
TO-220-3 整包
供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
包裝：
管件

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市金華微盛電子有限公司	AOB418	AOS/萬(wàn)代	2019+	TO263	6700	原廠渠道可含稅出貨	詢(xún)價(jià)
深圳市卓越微芯電子有限公司	AOB418	AOS	2020+	TO-263	150	百分百原裝正品真實(shí)公司現(xiàn)貨庫(kù)存本公司只做原裝可	詢(xún)價(jià)
深圳市博浩通科技有限公司	AOB418	AOS/萬(wàn)代	23+	TO-263	69000	全新原裝現(xiàn)貨熱賣(mài)/代理品牌/可申請(qǐng)樣品和規(guī)格書(shū)	詢(xún)價(jià)
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	AOB418	AOS	20+	TO-263	60800	AOS原裝主營(yíng)型號(hào)-可開(kāi)原型號(hào)增稅票	詢(xún)價(jià)
瀚佳科技(深圳)有限公司	AOB418	AOS	24+	TO263	65300	一級(jí)代理/放心購(gòu)買(mǎi)!	詢(xún)價(jià)
深圳市澳億芯電子科技有限公司	AOB418	AOS	1709+	TO-263	32500	普通	詢(xún)價(jià)
深圳市永貝爾科技有限公司	AOB418	AOSMD	23+	原廠原包	19960	只做進(jìn)口原裝終端工廠免費(fèi)送樣	詢(xún)價(jià)
深圳市科雨電子有限公司	AOB418	AOS	1503+	TO-263	3000	就找我吧!--邀您體驗(yàn)愉快問(wèn)購(gòu)元件!	詢(xún)價(jià)
深圳市能創(chuàng)芯電子科技有限公司	AOB418	ALPHA	23+	TO-263	3000	原裝正品假一罰百!可開(kāi)增票!	詢(xún)價(jià)
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	AOB418	AOS/萬(wàn)代	23+	TO263	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢(xún)價(jià)

更多AOB418供應(yīng)商更新時(shí)間2025-3-13 16:04:00

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