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SSM6J422TU

Marking：AJH；Package：UF6；MOSFETs Silicon P-Channel MOS

1.Applications ?PowerManagementSwitches 2.Features (1)AEC-Q101qualified(Pleaseseetheorderablepartnumberlist) (2)1.5-Vgatedrivevoltage. (3)Lowdrain-sourceon-resistance :RDS(ON)=99.6mΩ(max)(@VGS=-1.5V) RDS(ON)=67.8mΩ(max)(@VGS=-1.8V) RDS(ON)=51.4mΩ(m

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

SSM6J422TULF

Marking：AJH；Package：UF6；MOSFETs Silicon P-Channel MOS

1.Applications ?PowerManagementSwitches 2.Features (1)AEC-Q101qualified(Pleaseseetheorderablepartnumberlist) (2)1.5-Vgatedrivevoltage. (3)Lowdrain-sourceon-resistance :RDS(ON)=99.6mΩ(max)(@VGS=-1.5V) RDS(ON)=67.8mΩ(max)(@VGS=-1.8V) RDS(ON)=51.4mΩ(m

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

SSM6J422TULXGF

Marking：AJH；Package：UF6；MOSFETs Silicon P-Channel MOS

1.Applications ?PowerManagementSwitches 2.Features (1)AEC-Q101qualified(Pleaseseetheorderablepartnumberlist) (2)1.5-Vgatedrivevoltage. (3)Lowdrain-sourceon-resistance :RDS(ON)=99.6mΩ(max)(@VGS=-1.5V) RDS(ON)=67.8mΩ(max)(@VGS=-1.8V) RDS(ON)=51.4mΩ(m

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

SSM6J422TULXHF

Marking：AJH；Package：UF6；MOSFETs Silicon P-Channel MOS

1.Applications ?PowerManagementSwitches 2.Features (1)AEC-Q101qualified(Pleaseseetheorderablepartnumberlist) (2)1.5-Vgatedrivevoltage. (3)Lowdrain-sourceon-resistance :RDS(ON)=99.6mΩ(max)(@VGS=-1.5V) RDS(ON)=67.8mΩ(max)(@VGS=-1.8V) RDS(ON)=51.4mΩ(m

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

MPM3810GQB-33

Marking：AJH；Package：QFN-12；6V Input, 1.2A Module Synchronous Step-Down Converter with Integrated Inductor

MPSMonolithic Power Systems Inc.

美國芯源美國芯源系統(tǒng)有限公司

SSM6J422TU

Marking：AJH；Package：UF6；MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS??

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

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更多AJH供應(yīng)商 更新時間2025-3-26 8:30:00

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