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AIMBG120R010M1

Marking：AS10MM1；Package：PG-TO263-7-HV-ND5.8；CoolSiC? 1200 V SiC Trench MOSFET

Features ?VDSS=1200VatTvj=-55...175°C ?IDDC=205AatTC=25°C ?RDS(on)=8.7mΩatVGS=20V,Tvj=25°C ?Newperformance-optimizedchiptechnology(Gen1p)withimprovedRDSon*AFOM ?Bestinclassswitchingenergyforlowerswitchinglossesandreducedcoolingefforts ?Lowe

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

AIMZH120R010M1T

CoolSiC?1200VSiCTrenchMOSFET

Features ?VDSS=1200VatTvj=-55...175°C ?IDDC=202AatTC=25°C ?RDS(on)=8.7mΩatVGS=20V,Tvj=25°C ?Newperformance-optimizedchiptechnology(Gen1p)withimprovedRDSon*AFOM ?Increasedrecommendedturn-onvoltage(VGS(on)=20V)forlowerRDS(on) ?Bestinclassswi

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

AIMZHN120R010M1T

CoolSiC?1200VSiCTrenchMOSFET

Features ?VDSS=1200VatTvj=-55...175°C ?IDDC=202AatTC=25°C ?RDS(on)=8.7mΩatVGS=20V,Tvj=25°C ?Newperformance-optimizedchiptechnology(Gen1p)withimprovedRDSon*AFOM ?Increasedrecommendedturn-onvoltage(VGS(on)=20V)forlowerRDS(on) ?Bestinclassswi

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

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更多AIMBG120R010M1供應(yīng)商 更新時間2025-3-12 18:39:00

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