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AFGHL30T65RQDN分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

AFGHL30T65RQDN
廠商型號

AFGHL30T65RQDN
參數屬性

AFGHL30T65RQDN 封裝/外殼為TO-247-3；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產品描述：650V/30A FS4 SCR IGBT T0247-3L A
功能描述

IGBT for Automotive Application 650 V, 30 A
650V/30A FS4 SCR IGBT T0247-3L A
封裝外殼

TO-247-3
文件大小

331.91 Kbytes
頁面數量

9 頁
生產廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI【安森美半導體】

中文名稱

安森美半導體公司官網
原廠標識
數據手冊

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更新時間

2025-1-23 8:24:00

AFGHL30T65RQDN規(guī)格書詳情

AFGHL30T65RQDN屬于分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由安森美半導體公司制造生產的AFGHL30T65RQDN晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導體器件，能夠處理大電流，具有快速開關特性。其特征參數包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。

Using novel field stop IGBT technology, onsemi’s new series of

FS4 IGBTs offer the optimum performance for automotive

applications. This technology is Short circuit rated and offers high

figure of merit with low conduction and switching losses.

Features

? Maximum Junction Temperature: TJ = 175°C

? Positive Temperature Co?efficient for Easy Parallel Operation

? High Current Capability

? Low Saturation Voltage: VCE(Sat) = 1.57 V (Typ.) @ IC = 30 A

? 100% of the Parts Tested for ILM (Note 2)

? High Input Impedance

? Fast Switching

? Tightened Parameter Distribution

? This Device is Pb?Free and RoHS Compliant

Typical Applications

? E?compressor for HEV/EV, PTC heater for HEV/EV

產品屬性

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  • 產品編號：

    AFGHL30T65RQDN

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    Automotive, AEC-Q101

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • IGBT 類型：

    場截止

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    1.82V @ 15V，30A

  • 開關能量：

    340μJ（開），320μJ（關）

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關）值：

    18ns/68ns

  • 測試條件：

    400V，15A，2.5 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應商器件封裝：

    TO-247-3

  • 描述：

    650V/30A FS4 SCR IGBT T0247-3L A

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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