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AFGH4L60T120RWD-STD中文資料安森美半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

AFGH4L60T120RWD-STD
廠商型號(hào)

AFGH4L60T120RWD-STD

功能描述

IGBT – Power, Co-PAK N-Channel, Field Stop VII (FS7), SCR, TO247-4L 1200 V, 1.68 V, 60 A

文件大小

258.97 Kbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-23 11:08:00

AFGH4L60T120RWD-STD規(guī)格書詳情

Description

Using the novel field stop 7th generation IGBT technology and the

Gen7 Diode in TO247 4?lead package, this device offers good

performance with low on state voltage and low switching losses for

both hard and soft switching topologies in automotive applications.

Features

? Extremely Efficient Trench with Field Stop Technology

? Maximum Junction Temperature ? TJ =175?C

? Short Circuit Rated and Low Saturation Voltage

? Fast Switching and Tightened Parameter Distribution

? AEC?Q101 Qualified, PPAP Available Upon Request

? This Device is Pb?Free, Halogen Free/BFR Free and is RoHS Compliant

Applications

? Automotive E?compressor / Automotive EV PTC Heater / OBC

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
三年內(nèi)
1983
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