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80N10	文件：974.83 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 100-V (D-S) 175 ?C MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
80N10L	文件：1.92016 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel 100-V (D-S) 175 ?C MOSFET FEATURES ?TrenchFET?PowerMOSFET ?175°CMaximumJunctionTemperature ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
80N10F7	文件：966.73 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 100-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
BR80N10	文件：1.6474 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD 杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司	DOINGTER
BR80N10	文件：1.06093 Mbytes Page：6 Pages	N-CHANNELMOSFETinaTO-220PlasticPackage	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 藍(lán)箭電子佛山市藍(lán)箭電子股份有限公司	FOSHAN
BRB80N10	文件：887.74 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELMOSFETinaTO-263PlasticPackage	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 藍(lán)箭電子佛山市藍(lán)箭電子股份有限公司	FOSHAN
DTP80N10	文件：1.75176 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD 杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司	DOINGTER
HMS80N10KA	文件：920.81 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelSuperTrenchPowerMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司	HMSEMI
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IXFC80N10	文件：70.75 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFETTMMOSFETISOPLUS220 HiPerFET?MOSFETISOPLUS220? ElectricallyIsolatedBackSurface Features ●SiliconchiponDirect-Copper-Bondsubstrate -Highpowerdissipation -Isolatedmountingsurface -2500Velectricalisolation ●Lowdraintotabcapacitance(	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFH80N10	文件：93.07 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFETPowerMOSFETs VDSS=100V ID25=80A RDS(on)=12.5m? trr≤200ns N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated,Highdv/dt Features Internationalstandardpackages LowRDS(on) RatedforunclampedInductiveloadswitching(UIS) MoldingepoxiesmeetUL94V-0 flammabilit	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFH80N10	文件：371.97 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=80A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=12.5mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXFH80N10Q	文件：372.7 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=80A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=15mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXFH80N10Q	文件：55.78 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFETPowerMOSFETsQ-Class VDSS=100V ID25=80A RDS(on)=15m? trr≤200ns N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated,HighdV/dt LowGateChargeandCapacitances Features ?IXYSadvancedlowgatechargeprocess ?Internationalstandardpackages ?Lowgatechargeandcapacitance -ea	IXYS IXYS Corporation	IXYS
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IXFT80N10Q	文件：55.78 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFETPowerMOSFETsQ-Class VDSS=100V ID25=80A RDS(on)=15m? trr≤200ns N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated,HighdV/dt LowGateChargeandCapacitances Features ?IXYSadvancedlowgatechargeprocess ?Internationalstandardpackages ?Lowgatechargeandcapacitance -ea	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTA80N10T	文件：190.48 Kbytes Page：5 Pages	TrenchMVTMPowerMOSFET VDSS=100V ID25=80A RDS(on)≤14mΩ N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated FastIntrinsicDiode Features InternationalStandardPackages 175°COperatingTemperature AvalancheRated HighCurrentHandlingCapability FastIntrinsicDiode LowRDS(on)	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTA80N10T	文件：294.45 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXTP80N10T	文件：190.48 Kbytes Page：5 Pages	TrenchMVTMPowerMOSFET VDSS=100V ID25=80A RDS(on)≤14mΩ N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated FastIntrinsicDiode Features InternationalStandardPackages 175°COperatingTemperature AvalancheRated HighCurrentHandlingCapability FastIntrinsicDiode LowRDS(on)	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTP80N10T	文件：245.69 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC

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深圳市高捷芯城科技有限公司	80N10	Infineon(英飛凌)	23+	標(biāo)準(zhǔn)封裝	12048	原廠(chǎng)渠道供應(yīng),大量現(xiàn)貨,原型號(hào)開(kāi)票。	詢(xún)價(jià)
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更多80N10供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-9 23:00:00

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