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75N06	文件：65.68 Kbytes Page：2 Pages	Fast Switching Speed	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
75N06	文件：1.27408 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
75N06G	文件：1.2731 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES ?175°CJunctionTemperature ?TrenchFET?PowerMOSFET ?Materialcategorization:	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
75N06_17	文件：275.83 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
ADM75N06	文件：1.01048 Mbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor Features: ●LowGateChargeforFastSwitchingApplication ●LowRDS(ON)toMinimizeConductiveLoss ●100%EASGuaranteed ●OptimizedV(BR)DSSRuggedness ●Lead-Free,RoHSCompliant Description: TheADM75N06usesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)with	ADVAdvanced (Shenzhen) Electronics Co.,Ltd 愛德微愛德微(深圳)電子有限公司	ADV
CEB75N06	文件：330.39 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■60V,87A,RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263package.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEB75N06	文件：695.04 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 60V,87A,RDS(ON)=12mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEB75N06G	文件：646.25 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 60V,75A,RDS(ON)=13mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. Lead-freeplating;RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEB75N06G	文件：424.43 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■60V,75A,RDS(ON)=13mΩ@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Lead-freeplating;RoHScompliant. ■TO-220&TO-263package.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEP75N06	文件：330.39 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■60V,87A,RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263package.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEP75N06	文件：695.04 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 60V,87A,RDS(ON)=12mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEP75N06G	文件：646.25 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 60V,75A,RDS(ON)=13mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. Lead-freeplating;RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
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CEP75N06G	文件：1.71031 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司	DOINGTER
CJU75N06	文件：1.56294 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedSGTtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司	DOINGTER
CJU75N06	文件：1.13418 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 長電科技江蘇長電科技股份有限公司	JIANGSU
FIR75N06PG	文件：4.05956 Mbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMosfet	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半導(dǎo)體深圳市福斯特半導(dǎo)體有限公司	FOSTER
FTK75N06D	文件：459.79 Kbytes Page：4 Pages	60V/75AN-ChannelPowerMOSFET	FS First Silicon Co., Ltd	FS
HM75N06	文件：575.95 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司	HMSEMI
HM75N06K	文件：526.1 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司	HMSEMI

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詳細參數(shù)

型號：
75N06
制造商：
ON Semiconductor

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市勤思達科技有限公司	75N06		12+	TO-263	15000	全新原裝,絕對正品,公司現(xiàn)貨供應(yīng)。	詢價
深圳市博浩通科技有限公司	75N06	仙童/哈里斯/英飛凌	23+	TO-220	3000	全新原裝	詢價
深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司	75N06		2018+	TO263	6528	只做原裝正品假一賠十!只要網(wǎng)上有上百分百有庫存放心	詢價
深圳市佳鑫美電子科技有限公司	75N06	FCS	24+	TO-220	2987	只售原裝自家現(xiàn)貨!誠信經(jīng)營!歡迎來電!	詢價
深圳市近平電子有限公司	75N06	VISHAY	11+	TO-263	6000	絕對原裝自己現(xiàn)貨	詢價
瀚佳科技(深圳)有限公司	75N06		24+		16800	絕對原裝進口現(xiàn)貨,假一賠十,價格優(yōu)勢!?	詢價
深圳市恒達億科技有限公司	75N06	ON	23+	TO-263	4500	全新原裝、誠信經(jīng)營、公司現(xiàn)貨銷售	詢價
深圳龐田科技有限公司	75N06	ON	2023+環(huán)?，F(xiàn)貨	TO-263	10	專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)等方案配套一站式服務(wù)	詢價
深圳市旺財半導(dǎo)體有限公司	75N06	FAIRCHILD	23+	TO-220	4000	正品原裝貨價格低	詢價
深圳市星宇佳科技有限公司	75N06	JRC/新日本無線			300		詢價

更多75N06供應(yīng)商更新時間2025-1-17 11:04:00

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