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60N321

Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT

HighPowerSwitchingApplications The4thGeneration ?FRDincludedbetweenemitterandcollector ?Enhancement-mode ?HighspeedIGBT:tf=0.25μs(typ.)(IC=60A) FRD:trr=0.8μs(typ.)(di/dt=?20A/μs) ?Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=2.3V(typ.)(IC=

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

GT60N321

IGBT

DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=2.3V@IC=10A ·HighCurrentCapability ·HighInputImpedance ·FastSwitching APPLICATIONS ·FrequencyConverters ·AirConditioning ·UPS,PFC ·MotorDrives

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

GT60N321

BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

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GT60N321

InsulatedGateBipolarTransistorSiliconNChannelIGBT

HighPowerSwitchingApplications The4thGeneration ?FRDincludedbetweenemitterandcollector ?Enhancement-mode ?HighspeedIGBT:tf=0.25μs(typ.)(IC=60A) FRD:trr=0.8μs(typ.)(di/dt=?20A/μs) ?Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=2.3V(typ.)(IC=

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供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
TOSHIBA
23+
TO-264
3000
全新原裝
 詢價
TOSHIBA
23+
TO-3P
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HITACHI/日立
23+
60N321
45000
原廠授權(quán)代理,海外優(yōu)勢訂貨渠道?？商峁┐罅繋齑?詳
 詢價
TOSHIBA原裝專賣價格
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原裝
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原裝現(xiàn)貨
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S
23+
SOT-252
10000
公司只做原裝正品
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ST/意法
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TO-251
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全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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十年配單,只做原裝
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原裝現(xiàn)貨,價格優(yōu)惠,假一罰十
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更多60N321供應(yīng)商 更新時間2025-1-28 14:02:00

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