60N321中文資料東芝數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

廠商型號(hào)	60N321
功能描述	Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT
文件大小	173.5 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量	6 頁(yè)
生產(chǎn)廠商	Toshiba Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱	TOSHIBA【東芝】
中文名稱	株式會(huì)社東芝官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)	下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時(shí)間	2025-1-15 23:20:00

High Power Switching Applications

The 4th Generation

? FRD included between emitter and collector

? Enhancement-mode

? High speed IGBT : tf = 0.25 μs (typ.) (IC = 60 A)

FRD : trr = 0.8 μs (typ.) (di/dt = ?20 A/μs)

? Low saturation voltage: VCE (sat) = 2.3 V (typ.) (IC = 60 A)

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
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