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600S0R3BT250XT	文件：209.82 Kbytes Page：13 Pages	Airfast RF Power GaN Transistor This27dBmRFpowerGaNtransistorisdesignedforcellularbasestation applicationscoveringthefrequencyrangeof2496to2690MHz. Features ?Highterminalimpedancesforoptimalbroadbandperformance ?Designedforlowcomplexitylinearizationsystems ?Universalbroadbanddriver ?	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
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600S100JT250XT	文件：199.94 Kbytes Page：13 Pages	Airfast RF Power GaN Transistor ThisRFpowerGaNtransistorisdesignedforcellularbasestation applicationscoveringthefrequencyrangeof3300to4300MHz. Features ?Highterminalimpedancesforoptimalbroadbandperformance ?Designedforlowcomplexityanalogordigitallinearizationsystems ?Universalbroadband	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
600S100JT250XT	文件：209.47 Kbytes Page：13 Pages	Airfast RF Power GaN Transistor ThisRFpowerGaNtransistorisdesignedforcellularbasestation applicationscoveringthefrequencyrangeof3300to4300MHz. Features ?Highterminalimpedancesforoptimalbroadbandperformance ?Designedforlowcomplexitylinearizationsystems ?Universalbroadbanddriver ?Optimiz	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
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600S1R6BT250XT	文件：199.94 Kbytes Page：13 Pages	Airfast RF Power GaN Transistor ThisRFpowerGaNtransistorisdesignedforcellularbasestation applicationscoveringthefrequencyrangeof3300to4300MHz. Features ?Highterminalimpedancesforoptimalbroadbandperformance ?Designedforlowcomplexityanalogordigitallinearizationsystems ?Universalbroadband	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp

產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號：
600S0R3BT250XT
制造商：
American Technical Ceramics
類別：
電容器 > 陶瓷電容器
系列：
ATC 600S
包裝：
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
容差：
±0.1pF
電壓 - 額定：
250V
溫度系數(shù)：
C0G，NP0
工作溫度：
-55°C ~ 125°C
特性：
高 Q 值，低損耗，超低 ESR
應(yīng)用：
射頻，微波，高頻，旁通，去耦
安裝類型：
表面貼裝，MLCC
封裝/外殼：
0603（1608 公制）
大小 / 尺寸：
0.063" 長 x 0.032" 寬（1.60mm x 0.81mm）
厚度（最大值）：
0.035"（0.89mm）
描述：
CAP CER 0.3PF 250V C0G/NP0 0603

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