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600S0R3BT250XT電容器的陶瓷電容器規(guī)格書PDF中文資料

600S0R3BT250XT
廠商型號

600S0R3BT250XT

參數(shù)屬性

600S0R3BT250XT 封裝/外殼為0603(1608 公制);包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為電容器的陶瓷電容器;600S0R3BT250XT應(yīng)用范圍:射頻,微波,高頻,旁通,去耦;產(chǎn)品描述:CAP CER 0.3PF 250V C0G/NP0 0603

功能描述

Airfast RF Power GaN Transistor

封裝外殼

0603(1608 公制)

文件大小

209.82 Kbytes

頁面數(shù)量

13

生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡稱

nxp恩智浦

中文名稱

恩智浦半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-1-14 22:58:00

600S0R3BT250XT規(guī)格書詳情

This 27 dBm RF power GaN transistor is designed for cellular base station

applications covering the frequency range of 2496 to 2690 MHz.

Features

? High terminal impedances for optimal broadband performance

? Designed for low complexity linearization systems

? Universal broadband driver

? Optimized for massive MIMO active antenna systems for 5G base stations

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    600S0R3BT250XT

  • 制造商:

    American Technical Ceramics

  • 類別:

    電容器 > 陶瓷電容器

  • 系列:

    ATC 600S

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 容差:

    ±0.1pF

  • 電壓 - 額定:

    250V

  • 溫度系數(shù):

    C0G,NP0

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 125°C

  • 特性:

    高 Q 值,低損耗,超低 ESR

  • 應(yīng)用:

    射頻,微波,高頻,旁通,去耦

  • 安裝類型:

    表面貼裝,MLCC

  • 封裝/外殼:

    0603(1608 公制)

  • 大小 / 尺寸:

    0.063" 長 x 0.032" 寬(1.60mm x 0.81mm)

  • 厚度(最大值):

    0.035"(0.89mm)

  • 描述:

    CAP CER 0.3PF 250V C0G/NP0 0603

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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