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50N06-Q

50A, 60V N-CHANNEL POWER MOSFET

?DESCRIPTION TheUTC50N06-QisahighvoltagepowerMOSFETdesigned tohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgate charge,lowon-stateresistanceandhighruggedavalanche characteristics.ThispowerMOSFETisusuallyusedinhighspeed switchingapplicationsofswit

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

ADM50N06

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

Features: ●LowGateChargeforFastSwitchingApplication ●LowRDS(ON)toMinimizeConductiveLoss ●100%EASGuaranteed ●OptimizedV(BR)DSSRuggedness ●Lead-Free,RoHSCompliant Description: TheADM50N06usesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)with

ADVAdvanced (Shenzhen) Electronics Co.,Ltd

愛德微愛德微(深圳)電子有限公司

ADM50N06E

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

ADVAdvanced (Shenzhen) Electronics Co.,Ltd

愛德微愛德微(深圳)電子有限公司

AP50N06F

ThinkiSemi50A,60VInsualtedPlanarN-ChannelPowerMOSFETs

THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd.

思祁半導(dǎo)體思祁半導(dǎo)體有限公司

AP50N06P

50A,60VHeatsinkPlanarN-ChannelPowerMOSFET

THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd.

思祁半導(dǎo)體思祁半導(dǎo)體有限公司

B50N06

50A60VN-channelEnhancementModePowerMOSFET

WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd

東海半導(dǎo)體江蘇東海半導(dǎo)體股份有限公司

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50A60VN-channelEnhancementModePowerMOSFET

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東海半導(dǎo)體江蘇東海半導(dǎo)體股份有限公司

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更多50N06-Q供應(yīng)商 更新時間2025-2-6 17:24:00

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