自w到高c的25种图,东京热av中文字幕av专区,欧美国产午夜福利91久久精品

首頁 >B50N06>規(guī)格書列表

零件編號(hào)	下載&訂購	功能描述	制造商&上傳企業(yè)	LOGO
B50N06	文件：808.18 Kbytes Page：10 Pages	50A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 東海半導(dǎo)體江蘇東海半導(dǎo)體股份有限公司	WXDH
B50N06	文件：808.72 Kbytes Page：10 Pages	50A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 東海半導(dǎo)體江蘇東海半導(dǎo)體股份有限公司	WXDH
B50N06	文件：807.77 Kbytes Page：10 Pages	50A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 東海半導(dǎo)體江蘇東海半導(dǎo)體股份有限公司	WXDH
B50N06	文件：812.59 Kbytes Page：10 Pages	50A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 東海半導(dǎo)體江蘇東海半導(dǎo)體股份有限公司	WXDH
B50N06	文件：807.99 Kbytes Page：10 Pages	50A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 東海半導(dǎo)體江蘇東海半導(dǎo)體股份有限公司	WXDH
B50N06	文件：808.45 Kbytes Page：10 Pages	50A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 東海半導(dǎo)體江蘇東海半導(dǎo)體股份有限公司	WXDH
BR50N06	文件：1.14718 Mbytes Page：6 Pages	N-CHANNELMOSFETinaTO-220PlasticPackage	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 藍(lán)箭電子佛山市藍(lán)箭電子股份有限公司	FOSHAN
BR50N06	文件：1.45994 Mbytes Page：6 Pages	50A,60VHeatsinkPlanarN-ChannelPowerMOSFET	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半導(dǎo)體思祁半導(dǎo)體有限公司	THINKISEMI
BR50N06	文件：1.22906 Mbytes Page：3 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD 杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司	DOINGTER
BRB50N06	文件：762.78 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELMOSFETinaTO-263PlasticPackage	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 藍(lán)箭電子佛山市藍(lán)箭電子股份有限公司	FOSHAN
BRD50N06	文件：1.01448 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD 杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司	DOINGTER
CEB50N06	文件：391.29 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■60V,50A,RDS(ON)=17mΩ(typ)@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263package.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEB50N06	文件：636.35 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 60V,50A,RDS(ON)=22mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEB50N06G	文件：587.93 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 60V,55A,RDS(ON)=20mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CED50N06	文件：883.06 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■60V,36A,RDS(ON)=18m?(typ)@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CED50N06	文件：423.6 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 60V,36A,RDS(ON)=18mW(typ)@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CED50N06G	文件：508.65 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 60V,40A,RDS(ON)=20mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEP50N06	文件：391.29 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■60V,50A,RDS(ON)=17mΩ(typ)@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263package.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEP50N06	文件：1.4536 Mbytes Page：6 Pages	50A,60VHeatsinkPlanarN-ChannelPowerMOSFET GeneralDescription ThisN-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorusingTHINKISemiconductoradvancedplanarstripe,DMOStechnologyintendedforoff-lineswitchmodepowersupply.Also,especiallydesignedtominimizerds(on)andhighruggedavalanchecharacteristics.TheTO-220M	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半導(dǎo)體思祁半導(dǎo)體有限公司	THINKISEMI
CEP50N06	文件：1.14917 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD 杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司	DOINGTER

12 3 >>>

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市博浩通科技有限公司	B50NE10	ST	23+	TO-263	4569	專業(yè)優(yōu)勢供應(yīng)	詢價(jià)
深圳市新力誠科技有限公司	B50NE10	ST	2020+	原廠封裝	4922	專營軍工航天芯片,只做全新原裝,價(jià)格超低!	詢價(jià)
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	B50NE10	ST/意法	23+	TO-263	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價(jià)
深圳市寶隆宏業(yè)科技有限公司	B50NE10	ST/意法	2122+	TO-263	11190	全新原裝正品現(xiàn)貨,優(yōu)勢渠道可含稅,假一賠十	詢價(jià)
深圳市美思瑞電子科技有限公司	B50NE10	ST	22+	TO-263	12245	現(xiàn)貨,原廠原裝假一罰十!	詢價(jià)
深圳市瑞卓芯科技有限公司	B50NE10	ST/意法	22+	TO-263	11190	原裝正品	詢價(jià)
深圳市星佑電子有限公司	B50NE10	ST	22+	TO-263	16900	支持樣品原裝現(xiàn)貨提供技術(shù)支持!	詢價(jià)
深圳市得捷芯城科技有限公司	B50NE10	ST/意法	23+	NA/	3405	原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號(hào)開票	詢價(jià)
深圳市興燦科技有限公司	B50NE10	ST	24+	TO-263	185	原裝正品,假一罰十!	詢價(jià)
深圳市凌旭科技有限公司	B50S010P	BPS	21+	SOP8	4000		詢價(jià)

更多B50N06供應(yīng)商更新時(shí)間2024-10-26 14:02:00

相關(guān)規(guī)格書

相關(guān)庫存