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456VFA	文件：253.32 Kbytes Page：9 Pages	REMOCON MODULE	E-OEC Opto Electronics Co,. LTD	E-OEC
ACPL-P456	文件：328.2 Kbytes Page：12 Pages	ACPL-P456andACPL-W456IntelligentPowerModuleandGateDriveInterfaceOptocouplers Description TheACPL-P456andACPL-W456containaGaAsPLEDopticallycoupledtoanintegratedhighgainphotodetector.Minimizedpropagationdelaydifferencebetweendevicesmaketheseoptocouplersexcellentsolutionsforimprovinginverterefficiencythroughreducedswitchingdeadtime.Specif	AVAGOAVAGO TECHNOLOGIES LIMITED 安華高	AVAGO
ACPL-P456	文件：464.94 Kbytes Page：14 Pages	HighCMRIntelligentPowerModuleandGateDriveInterfaceOptocoupler	BOARDCOMBroadcom Corporation. 博通公司博通半導體	BOARDCOM
ACPL-W456	文件：328.2 Kbytes Page：12 Pages	ACPL-P456andACPL-W456IntelligentPowerModuleandGateDriveInterfaceOptocouplers Description TheACPL-P456andACPL-W456containaGaAsPLEDopticallycoupledtoanintegratedhighgainphotodetector.Minimizedpropagationdelaydifferencebetweendevicesmaketheseoptocouplersexcellentsolutionsforimprovinginverterefficiencythroughreducedswitchingdeadtime.Specif	AVAGOAVAGO TECHNOLOGIES LIMITED 安華高	AVAGO
AOD456	文件：123.96 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAOD456usesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseinPWM,loadswitchingandgeneralpurposeapplications.StandardproductAOD456isPb-free(meetsROHS&Sony259specifications).AOD4	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬國半導體美國萬國半導體	AOSMD
AOD456	文件：309.09 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor DESCRIPTION ?Designedforuseinswitchmodepowersuppliesandgeneral purposeapplications. FEATURES ?DrainCurrent–ID=50A@TC=25℃ ?DrainSourceVoltage- :VDSS=25V(Min) ?StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=6mΩ(Max) ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lot	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
AOD456	文件：1.46505 Mbytes Page：6 Pages	N-Channel20-V(D-S)175CMOSFET FEATURES ●TrenchFETPowerMOSFET ●175°CMaximumJunctionTemperature ●100RgTested	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司	VBSEMI
AOD456	文件：198.62 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬國半導體美國萬國半導體	AOSMD
AOD456A	文件：108.3 Kbytes Page：5 Pages	PlasticEncapsulatedDevice ProductDescription: TheAOD456AusesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseinPWM,loadswitchingandgeneralpurposeapplications.StandardproductAOD456AisPb-free(meetsROHS&Sony259specifications). A	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬國半導體美國萬國半導體	AOSMD
AOD456A	文件：916.66 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel20-V(D-S)175CMOSFET FEATURES ●TrenchFETPowerMOSFET ●175°CMaximumJunctionTemperature ●100RgTested	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司	VBSEMI
AOD456A	文件：318.32 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=50A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=25V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=6mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
AOD456AL	文件：108.3 Kbytes Page：5 Pages	PlasticEncapsulatedDevice ProductDescription: TheAOD456AusesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseinPWM,loadswitchingandgeneralpurposeapplications.StandardproductAOD456AisPb-free(meetsROHS&Sony259specifications). A	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬國半導體美國萬國半導體	AOSMD
AOD456L	文件：123.96 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAOD456usesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseinPWM,loadswitchingandgeneralpurposeapplications.StandardproductAOD456isPb-free(meetsROHS&Sony259specifications).AOD4	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬國半導體美國萬國半導體	AOSMD
AOI456	文件：995.06 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司	VBSEMI
AOI456	文件：330.94 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=100A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=35mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
AOU456	文件：71.81 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAOU456usesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseinPWM,loadswitchingandgeneralpurposeapplications.StandardProductAOU456isPb-free(meetsROHS&Sony259specifications).AOU4	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬國半導體美國萬國半導體	AOSMD
AOU456	文件：994.15 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgandUISTested ?ComplianttoRoHSDirective2011/65/EU APPLICATIONS ?OR-ing ?Server ?DC/DC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司	VBSEMI
AOU456	文件：352.11 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=50A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=25V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=7.0mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
AOU456L	文件：71.81 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAOU456usesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseinPWM,loadswitchingandgeneralpurposeapplications.StandardProductAOU456isPb-free(meetsROHS&Sony259specifications).AOU4	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬國半導體美國萬國半導體	AOSMD
BD456N	文件：236.72 Kbytes Page：2 Pages	45AMPBLOCKDIODES	SHUNYEShanghai Shunye Electronics Co.,Ltd. 順燁電子江蘇順燁電子有限公司	SHUNYE

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更多456VFA供應(yīng)商更新時間2024-10-28 9:00:00

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