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4020B	文件：95.85 Kbytes Page：1 Pages	EPDMSnap-InLiquidTightBushings	HeycoHeyco. ?？?/span>?？?Heyco)	Heyco
ACP-4020	文件：1.06386 Mbytes Page：2 Pages	348mmDepth4URackmountChassisforHalf-sizeSBCorATXMotherboard	ADVANTECHAdvantech Co., Ltd. 研華科技研華科技（中國(guó)）有限公司	ADVANTECH
AD4020	文件：3.93792 Mbytes Page：34 Pages	36VFully-DifferentialProgrammable-GainInstrumentationAmplifierwith25pAInputBiasCurrent	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司	AD
AD4020	文件：2.2649 Mbytes Page：28 Pages	1nV/??z420MHzGBW,180V/關(guān)s,LowDistortionRail-to-RailOutputOpAmps	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司	AD
AD4020	文件：1.025569 Mbytes Page：39 Pages	20-Bit,1.8MSPS/1MSPS/500kSPS,EasyDrive,DifferentialSARADCs	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司	AD
AD4020	文件：789.74 Kbytes Page：37 Pages	PrecisionSAR,DifferentialADC	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司	AD
AD4020BRMZ	文件：1.025569 Mbytes Page：39 Pages	20-Bit,1.8MSPS/1MSPS/500kSPS,EasyDrive,DifferentialSARADCs	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司	AD
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AMR4020	文件：1.0049 Mbytes Page：9 Pages	HighAccuracyAnalogMagneticScaleSensor Description TheAMR40X0seriesmagneticgratesensors integratetwopush-pullWheatstonebridges,each ofwhichcontainsfourhigh-sensitivityanisotropic magnetoresistance(AMR)sensingelements.Sucha designeffectivelycompensatestemperaturedriftto ensurehighaccuracyunderwidetemp	MULTIDIMENSIONMultiDimension Technology Co.,Ltd. 多維科技江蘇多維科技有限公司	MULTIDIMENSION
AMR4020D	文件：1.0049 Mbytes Page：9 Pages	HighAccuracyAnalogMagneticScaleSensor Description TheAMR40X0seriesmagneticgratesensors integratetwopush-pullWheatstonebridges,each ofwhichcontainsfourhigh-sensitivityanisotropic magnetoresistance(AMR)sensingelements.Sucha designeffectivelycompensatestemperaturedriftto ensurehighaccuracyunderwidetemp	MULTIDIMENSIONMultiDimension Technology Co.,Ltd. 多維科技江蘇多維科技有限公司	MULTIDIMENSION
APT4020	文件：50.97 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEHIGHVOLTAGEPOWERMOSFETS POWERMOSIV? N-CHANNELENHANCEMENTMODEHIGHVOLTAGEPOWERMOSFETS	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
APT4020AN	文件：309.13 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=22.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=400V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.2Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
APT4020BN	文件：50.97 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEHIGHVOLTAGEPOWERMOSFETS POWERMOSIV? N-CHANNELENHANCEMENTMODEHIGHVOLTAGEPOWERMOSFETS	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
APT4020BN	文件：344.59 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor DESCRIPTION ·DrainCurrent:ID=26A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=400V(Min) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·highvoltage,highspeedpowerswitching	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
APT4020BNR	文件：344.55 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor DESCRIPTION ·DrainCurrent:ID=26A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=400V(Min) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·highvoltage,highspeedpowerswitching	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
APT4020BVFR	文件：74.27 Kbytes Page：4 Pages	POWERMOSVFREDFET PowerMOSV?isanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs.ThisnewtechnologyminimizestheJFETeffect,increasespackingdensityandreducestheon-resistance.PowerMOSV?alsoachievesfasterswitchingspeedsthroughoptimizedgatelayout. ?FasterSwitchi	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
APT4020BVFR	文件：419.37 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
APT4020BVFRG	文件：74.27 Kbytes Page：4 Pages	POWERMOSVFREDFET PowerMOSV?isanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs.ThisnewtechnologyminimizestheJFETeffect,increasespackingdensityandreducestheon-resistance.PowerMOSV?alsoachievesfasterswitchingspeedsthroughoptimizedgatelayout. ?FasterSwitchi	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
APT4020BVR	文件：64.53 Kbytes Page：4 Pages	PowerMOSVisanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs. PowerMOSV?isanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs.ThisnewtechnologyminimizestheJFETeffect,increasespackingdensityandreducestheon-resistance.PowerMOSV?alsoachievesfasterswitchingspeedsthroughoptimizedgatelayout. ?FasterSwitchi	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
APT4020BVR	文件：336.83 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES DrainCurrent:ID=23A@TC=25℃ DrainSourceVoltage :VDSS=400V(Min) StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.2Ω(Max)@VGS=10V 100avalanchetested MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION motordrive,DC-DCconv	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC

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深圳市博浩通科技有限公司	40200	TI	23+	SOP-8	1047	優(yōu)勢(shì)庫(kù)存	詢價(jià)
齊創(chuàng)科技(上海,北京,青島)有限公司	40200	TI	23+	SOP8	5000	原裝正品,假一罰十	詢價(jià)
深圳市拓億芯電子有限公司	40200	TI/德州儀器	23+	SOP8	15000	全新原裝現(xiàn)貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)	詢價(jià)
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