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STW35N60DM2

Marking:35N60DM2;Package:TO-247;Extremely high dv/dt ruggedness

Description ThishighvoltageN-channelPowerMOSFETis partoftheMDmesh?DM2fastrecoverydiode series.Itoffersverylowrecoverycharge(Qrr) andtime(trr)combinedwithlowRDS(on),rendering itsuitableforthemostdemandinghighefficiency convertersandidealforbridgetopologi

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

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更多35N60DM2供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-6 15:00:00