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2SK3113B中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

2SK3113B
廠商型號(hào)

2SK3113B

功能描述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件大小

202.85 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 Renesas Electronics America
企業(yè)簡稱

NEC瑞薩

中文名稱

日本瑞薩電子株式會(huì)社官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-4-20 11:22:00

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2SK3113B規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

The 2SK3113B is N-channel MOS FET device that features a low gate charge and excellent switching characteristics, and designed for high voltage applications such as switching power supply, AC adapter.

FEATURES

? Low on-state resistance

RDS(on)= 4.4 ΩMAX. (VGS= 10 V, ID= 1.0 A)

? Low gate charge

QG= 7.9 nC TYP. (VDD= 450 V, VGS= 10 V, ID= 2.0 A)

? Gate voltage rating : ±30 V

? Avalanche capability ratings

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    2SK3113B

  • 制造商:

    Renesas Electronics Corporation

  • 功能描述:

    REN2SK3113B-ZK-E1-AY SWITCHING N-CHANNEL

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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