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2SC5195

MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

FEATURES ?LowVoltageOperation,LowPhaseDistortion ?LowNoise NF=1.5dBTYP.@VCE=3V,IC=7mA,f=2GHz NF=1.5dBTYP.@VCE=1V,IC=3mA,f=2GHz ?LargeAbsoluteMaximumCollectorCurrent IC=100mA ?SupercompactMiniMoldPackage

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社

2SC5195

SILICON TRANSISTOR

MICROWAVELOWNOISEAMPLIFIER NPNSILICONEPITAXIALTRANSISTOR FEATURES LowVoltageOperation,LowPhaseDistortion LowNoise NF=1.5dBTYP.@VCE=3V,IC=7mA,f=2GHz NF=1.5dBTYP.@VCE=1V,IC=3mA,f=2GHz LargeAbsoluteMaximumCollectorCurrent IC=100mA Supercom

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

2SC5195-T1

MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

FEATURES ?LowVoltageOperation,LowPhaseDistortion ?LowNoise NF=1.5dBTYP.@VCE=3V,IC=7mA,f=2GHz NF=1.5dBTYP.@VCE=1V,IC=3mA,f=2GHz ?LargeAbsoluteMaximumCollectorCurrent IC=100mA ?SupercompactMiniMoldPackage

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社

晶體管資料

  • 型號(hào)：

    2SC5195

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-NPN

  • 性質(zhì)：

    表面帖裝型 （SMD）_超高頻/特高頻 （UHF）

  • 封裝形式：

    貼片封裝

  • 極限工作電壓：

    9V

  • 最大電流允許值：

    0.1A

  • 最大工作頻率：

    4.5GHZ

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號(hào)：

  • 最大耗散功率：

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號(hào)：

    H-15

  • vtest：

    9

  • htest：

    4500000000

  • atest：

    0.1

  • wtest：

    0

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    2SC5195

  • 制造商：

    NEC

  • 制造商全稱：

    NEC

  • 功能描述：

    MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
NEC
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 詢價(jià)
更多2SC5195供應(yīng)商 更新時(shí)間2023-6-8 12:14:00

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