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2SC5171	文件：145.72 Kbytes Page：2 Pages	NPN EPITAXIAL TYPE (POWER, DRIVER STAGE AMPLIFIER APPLICATIONS) PowerAmplifierApplications DriverStageAmplifierApplications ?Hightransitionfrequency:fT=200MHz(typ.) ?Complementaryto2SA1930	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝	TOSHIBA
2SC5171	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝	TOSHIBA
2SC5172	文件：166.87 Kbytes Page：3 Pages	NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (SWITCHING REGULATOR AND HIGH VOLTAGE SWITCHING, HIGH SPEED DC-DC CONVERTER APPLICATIONS) SwitchingRegulatorandHigh-VoltageSwitchingApplications High-SpeedDC-DCConverterApplications ?Excellentswitchingtimes:tr=0.5μs(max), tf=0.3μs(max)atIC=2A ?Highcollectorbreakdownvoltage:VCEO=400V	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝	TOSHIBA
2SC5172	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝	TOSHIBA
2SC5173	文件：232.74 Kbytes Page：4 Pages	HIGH VOLTAGE SWITCHING AND AMPLIFIER APPLICATIONS HIGHVOLTAGESWITCHINGANDAMPLIFIERAPPLICATIONS COLORTVHORIZONTALDRIVERAPPLICATIONS COLORTVCHROMAOUTPURAPPLICATIONS ●HighVoltage:V(BR)CEO=300V ●SmallCollectorOutputCapacitance:Cob=3.0pF(Typ.) ●Collectormetal(Fin)isfullycoveredwithmoldresin. Collector-Base	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝	TOSHIBA
2SC5174	文件：172.04 Kbytes Page：3 Pages	TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL TYPE POWERAMPLIFIERAPPLICATIONS DRIVERSTAGEAMPLIFIERAPPLICATIONS ?HighTransitionFrequency:fT=100MHz(Typ.) ?Complementaryto2SA1932	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝	TOSHIBA
2SC5174	文件：278.65 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ?SiliconNPNepitaxialtype ?LowCollectorSaturationVoltage ?Hightransitionfrequency ?Complementaryto2SA1932 ?GoodLinearityofhFE ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ?Poweramplifierapplications ?	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
2SC5174	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝	TOSHIBA
2SC5175	文件：143.69 Kbytes Page：2 Pages	NPN EPITAXIAL TYPE (HIHG CURRENT SWITCHING APPLICATIONS) High-CurrentSwitchingApplications ?Lowcollector-emittersaturationvoltage:VCE(sat)=0.4V(max) (IC=2.5A,IB=125mA) ?High-speedswitching:tstg=0.8μs(typ.) Collector-basevoltageVCBO60V Collector-emittervoltageVCEO50V Emitter-basevoltageVEBO5V	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝	TOSHIBA
2SC5176	文件：223.36 Kbytes Page：4 Pages	NPN EPITAXIAL TYPE (HIGH CURRENT SWITCHING, DC-DC CONVERTER APPLICATIONS) HIGHCURRENTSWITCHINGAPPLICATIONS DC-DCCONVERTERAPPLICATION	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝	TOSHIBA
2SC5177	文件：56.93 Kbytes Page：12 Pages	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR IN MINI-MOLD PACKAGE FOR LOW-NOISE MICROWAVE AMPLIFICATION FEATURES ?LowCurrentConsumptionandHighGain \|S21e\|2=9.0dBTYP.@VCE=2V,IC=7mA,f=2GHz \|S21e\|2=8.5dBTYP.@VCE=1V,IC=5mA,f=2GHz ?Mini-Moldpackage EIAJ:SC-59	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會社	NEC
2SC5177	文件：187.69 Kbytes Page：14 Pages	Marking:T84;SILICON TRANSISTOR NPNEPITAXIALSILICONTRANSISTORINMINI-MOLDPACKAGE FORLOW-NOISEMICROWAVEAMPLIFICATION FEATURES ?LowCurrentConsumptionandHighGain \|S21e\|2=9.0dBTYP.@VCE=2V,IC=7mA,f=2GHz \|S21e\|2=8.5dBTYP.@VCE=1V,IC=5mA,f=2GHz ?Mini-Moldpackage EIAJ:SC-59	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
2SC5178	文件：82.02 Kbytes Page：12 Pages	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR IN 4-PIN MINI-MOLD PACKAGE FOR LOW-NOISE MICROWAVE AMPLIFICATION FEATURES ?Lowcurrentconsumptionandhighgain \|S21e\|2=11.5dBTYP.@VCE=2V,IC=7mA,f=2GHz \|S21e\|2=10.5dBTYP.@VCE=1V,IC=5mA,f=2GHz ?4-pinMini-Moldpackage EIAJ:SC-61	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會社	NEC
2SC5178	文件：190.71 Kbytes Page：14 Pages	SILICON TRANSISTOR NPNEPITAXIALSILICONTRANSISTORIN4-PINMINI-MOLDPACKAGE FORLOW-NOISEMICROWAVEAMPLIFICATION	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
2SC5178R	文件：205.16 Kbytes Page：10 Pages	SILICON TRANSISTOR NPNEPITAXIALSILICONTRANSISTORIN4-PINMINI-MOLDPACKAGE FORLOW-NOISEMICROWAVEAMPLIFICATION	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
2SC5178R-T1	文件：205.16 Kbytes Page：10 Pages	SILICON TRANSISTOR NPNEPITAXIALSILICONTRANSISTORIN4-PINMINI-MOLDPACKAGE FORLOW-NOISEMICROWAVEAMPLIFICATION	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
2SC5178R-T2	文件：205.16 Kbytes Page：10 Pages	SILICON TRANSISTOR NPNEPITAXIALSILICONTRANSISTORIN4-PINMINI-MOLDPACKAGE FORLOW-NOISEMICROWAVEAMPLIFICATION	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
2SC5178-T1	文件：82.02 Kbytes Page：12 Pages	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR IN 4-PIN MINI-MOLD PACKAGE FOR LOW-NOISE MICROWAVE AMPLIFICATION FEATURES ?Lowcurrentconsumptionandhighgain \|S21e\|2=11.5dBTYP.@VCE=2V,IC=7mA,f=2GHz \|S21e\|2=10.5dBTYP.@VCE=1V,IC=5mA,f=2GHz ?4-pinMini-Moldpackage EIAJ:SC-61	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會社	NEC
2SC5178-T1	文件：190.71 Kbytes Page：14 Pages	SILICON TRANSISTOR NPNEPITAXIALSILICONTRANSISTORIN4-PINMINI-MOLDPACKAGE FORLOW-NOISEMICROWAVEAMPLIFICATION	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
2SC5178-T2	文件：82.02 Kbytes Page：12 Pages	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR IN 4-PIN MINI-MOLD PACKAGE FOR LOW-NOISE MICROWAVE AMPLIFICATION FEATURES ?Lowcurrentconsumptionandhighgain \|S21e\|2=11.5dBTYP.@VCE=2V,IC=7mA,f=2GHz \|S21e\|2=10.5dBTYP.@VCE=1V,IC=5mA,f=2GHz ?4-pinMini-Moldpackage EIAJ:SC-61	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會社	NEC

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晶體管資料

型號：
2SC5171
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產(chǎn)廠家：
制作材料：
Si-NPN
性質(zhì)：
電視（TV）_功率放大（L）
封裝形式：
直插封裝
極限工作電壓：
180V
最大電流允許值：
2A
最大工作頻率：
200MHZ
引腳數(shù)：
3
可代換的型號：
2SC3298A,2SC4159,2SC4883A,
最大耗散功率：
20W
放大倍數(shù)：
圖片代號：
B-10
vtest：
180
htest：
200000000
atest：
2
wtest：
20

詳細參數(shù)

型號：
2SC517
制造商：
Toshiba America Electronic Components
功能描述：
Trans GP BJT NPN 180V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS
功能描述：
Bipolar Junction Transistor, NPN Type, TO-220AB

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市興燦科技有限公司	2SC5171	TOSHIBA	24+	TO220F	5000	進口原裝現(xiàn)貨	詢價
深圳市金嘉銳電子有限公司	2SC5171	TOSHIBA	2024+	TO-220F	32560	原裝優(yōu)勢絕對有貨	詢價
深圳市益百分電子有限公司	2SC5171	藍箭	TO220F	2000000	2012		詢價
深圳市芯巴巴科技有限公司	2SC5171	TOSHIBA	23+	TO-220F	100	只做原裝假一賠萬	詢價
深圳市誠利順電子科技有限公司	2SC5171	TOSHIBA	22+	TO-220F	6850	十七年VIP會員,誠信經(jīng)營，一手貨源，原裝正品可零售！	詢價
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	2SC5171	TOSHIBA	24+		60000		詢價
深圳市昌和盛利電子有限公司	2SC5171	TOS	23+	TO-220	9526		詢價
深圳市恒創(chuàng)達實業(yè)有限公司	2SC5171	TOSHIBA	17+	TO220	6200	100%原裝正品現(xiàn)貨	詢價
齊創(chuàng)科技(上海,北京,青島)有限公司	2SC5171	TOSHIBA	23+	TO-220	5000	原裝正品,假一罰十	詢價
深圳市聯(lián)世界科技有限公司	2SC5171	TOSHIBA	11+		20	原裝正品現(xiàn)貨庫存價優(yōu)	詢價

更多2SC517供應(yīng)商更新時間2025-1-14 10:50:00

晶體管資料

詳細參數(shù)

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